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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Transistor de silicium du FET NPN de MOS de la Manche du transistor N de Pin 2SK2996 3

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Numéro de type :2SK2996

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :7900pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Courant de fuite de porte :μA ±10

Tension claque de Gate−source :±30 V

Vidangez le courant de cut−off :μA 100

Tension claque de Drain−source :600 V

Tension de seuil de porte :2,0 à 4,0 V

Drain−source SUR la résistance :0,74 Ω

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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Quantité

Marque

D/C

Paquet

L6599D	6828	St	13+	SOP-16
L7805ABP	12978	St	11+	TO-220F
L7812CV	60000	STM	14+	TO-220
L78L33ACUTR	38000	St	15+	SOT-89
L78M05CDT	98000	St	16+	TO-252
L78M08ABDT-TR	14698	St	16+	SOT-252
L78M12CDT	101000	St	13+	TO-252
L78S05CV	11629	St	16+	TO-220
L78S12CV	4245	St	16+	TO-220
L7985ATR	13028	STM	15+	HSOP-8
L9407F	3184	St	15+	FERMETURE ÉCLAIR
L9637D013TR	1520	St	15+	CONCESSION
L9826TR	3101	St	12+	SOP-20
LA4440	3580	SANYO	13+	ZIP-14
LA78040	15692	SANYO	14+	TO-220
LA78041	14769	SANYO	15+	TO-220
LA78045	16047	SANYO	13+	TO-220-7
LAN83C185-JT	2746	SMSC	16+	QFP64
LAN8710A-EZK-TR	5987	SMSC	13+	QFN32
LAN8710AI-EZK-TR	15547	SMSC	14+	QFN
LAN8720A-CP-TR	4876	PUCE	16+	QFN24
LAN9115-MT	7959	PUCE	09+	QFP
LCDA05.TBT	7787	SEMTECH	11+	SOP-8
LCMXO640C-3TN100C	4897	TRELLIS	12+	TQFP100
LCMZO640C-4TN100C	1113	TRELLIS	16+	QFP100
LCP02-150B1RL	6643	St	16+	SOP-8
LD1086D2M33TR	4316	St	14+	TO-263
LD1086V33	6714	St	08+	TO-220
LD1117ADT18TR	51000	St	15+	TO-252
LD1117S18TR	101000	St	11+	SOT-223

Type de MOS de la Manche du silicium N de transistor à effet de champ de TOSHIBA

(π−MOSV) 2SK2996

Applications de convertisseur de DC−DC, d'entraînement de relais et d'entraînement de moteur

Bas drain−source SUR la résistance : R_DS(DESSUS) = 0,74 Ω (type.)

Accès de transfert en avant élevé : |Y_fs| = 6,8 S (type.)

Bas courant de fuite : I_SAD = μA 100 (maximum) (V_DS = 600 V)

Mode d'amélioration : _Th V = 2.0~4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)

Capacités absolues (merci = 25°C)

Caractéristiques		Symbole	Évaluation	Unité
Tension de Drain−source		V_SAD	600	V
Tension de Drain−gate (R_GS = kΩ 20)		V_DGR	600	V
Tension de Gate−source		V_GSS	±30	V
Vidangez le courant	C.C (note 1)	I_D	10	A
Vidangez le courant	Impulsion (note 1)	I_DP	30	A
Vidangez la dissipation de puissance (comité technique = 25°C)		P_D	45	W
Énergie simple d'avalanche d'impulsion (note 2)		E_AS	252	MJ
Courant d'avalanche		I_L'AR	10	A
Énergie répétitive d'avalanche (note 3)		E_AR	4,5	MJ
La température de la Manche		Tch	150	°C
Température ambiante de température de stockage		Tstg	−55~150	°C

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Poids : 1,9 g (type.)

Mots clés du produit:

smd transistor packages

silicone earring backs

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