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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06

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Numéro de type :FQP30N06

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :6900pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

tension de Drain-source :60 V

Tension de Porte-Source :± 25 V

Choisissez l'énergie pulsée d'avalanche :280 MJ

Courant d'avalanche :30 A

Énergie répétitive d'avalanche :7,9 MJ

Opération et température de stockage :°C -55 à +175

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Numéro de la pièce.

Quantité

Marque

D/C

Paquet

MCIMX535DVV1C	1066	FREESCALE	14+	BGA
MCIMX6S7CVM08AC	769	FREESCALE	16+	BGA
MCP100T-270I/TT	68000	PUCE	15+	SOT23-3
MCP100T-315I/TT	57000	PUCE	16+	SOT23-5
MCP100T-450I/TT	58000	PUCE	10+	SOT23-3
MCP120T-315I/TT	24000	PUCE	14+	SOT-23
MCP1252-33X50I/MS	6935	PUCE	16+	MSOP
MCP1525T-I/TT	22350	PUCE	14+	SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB	11219	PUCE	16+	SOT-89
MCP1700T-1802E/TT	17041	PUCE	06+	SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB	14911	PUCE	09+	SOT-89
MCP1700T-3302E/TT	87000	PUCE	12+	SOT-23
MCP1700T-5002E/TT	6249	PUCE	16+	SOT-23
MCP1702T-3302E/MB	8308	PUCE	13+	SOT-89
MCP1703T-5002E/DB	6320	PUCE	13+	SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB	5514	PUCE	16+	SOT-223
MCP1826T-3302E/DC	6845	PUCE	15+	SOT223-5
MCP2122-E/SN	7708	PUCE	13+	SOP-8
MCP23S17-E/SO	8974	PUCE	15+	SOP-28
MCP2551-I/SN	7779	PUCE	16+	SOP-8
MCP2551T-E/SN	3957	PUCE	16+	SOP-8
MCP3202-CI/SN	5841	PUCE	15+	SOP-8
MCP3202-CI/SN	5770	PUCE	15+	SOP-8
MCP3208-CI/P	8740	PUCE	15+	IMMERSION
MCP3421AOT-E/CH	12828	PUCE	16+	SOT23-6
MCP3422AO-E/SN	3875	PUCE	10+	SOP-8
MCP3424-E/SL	8273	PUCE	16+	SOP-14
MCP3551-E/SN	7817	PUCE	16+	SOP-8
MCP41050T-I/SN	4450	PUCE	11+	SOP-8
MCP41100-I/SN	3572	PUCE	15+	SOP-8

FQP30N06

transistor MOSFET du N-canal 60V

Description générale

Ceux-ci des transistors à effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, rayure planaire, technologie de DMOS.

Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum la résistance de sur-état, pour fournir la représentation supérieure de commutation, et pour résister à l'impulsion de haute énergie en mode d'avalanche et de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour des applications de basse tension telles que les convertisseurs des véhicules à moteur, de C.C de C.C, et la commutation de rendement élevé pour la gestion de puissance dans les produits portatifs et à piles.

Caractéristiques

• 30A, 60V, R_DS (dessus) = @V 0.04Ω_GS = 10 V

• Basse charge de porte (19 typiques OR)

• Bas Crss (40 typiques PF)

• Commutation rapide

• avalanche 100% examinée

• Capacité améliorée de dv/dt

• estimation maximum de la température de jonction 175°C

Capacités absolues T_C = 25°C sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	FQP30N06	Unités
V_SAD	Tension de Drain-source	60	V
I_D	Courant de drain - continu (T_C = 25°C) - Continu (T_C = 100°C)	30	A
I_D		21,3	A
I_DM	Courant de drain - pulsé (note 1)	120	A
V_GSS	Tension de Porte-source	± 25	V
E_AS	Choisissez l'énergie pulsée d'avalanche (note 2)	280	MJ
I_L'AR	Courant d'avalanche (note 1)	30	A
E_AR	Énergie répétitive d'avalanche (note 1)	7,9	MJ
dv/dt	Récupération maximale de diode dv/dt (note 3)	7,0	V/ns
P_D	Dissipation de puissance (T_C = 25°C) - Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	79	W
P_D		0,53	W/°C
T_J, T_STG	Opération et température ambiante de température de stockage	-55 à +175	°C
T_L	La température maximum d'avance pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes	300	°C

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