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Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06

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Numéro de type :FQP30N06
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :6900pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
tension de Drain-source :60 V
Tension de Porte-Source :± 25 V
Choisissez l'énergie pulsée d'avalanche :280 MJ
Courant d'avalanche :30 A
Énergie répétitive d'avalanche :7,9 MJ
Opération et température de stockage :°C -55 à +175
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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA
MCIMX6S7CVM08AC 769 FREESCALE 16+ BGA
MCP100T-270I/TT 68000 PUCE 15+ SOT23-3
MCP100T-315I/TT 57000 PUCE 16+ SOT23-5
MCP100T-450I/TT 58000 PUCE 10+ SOT23-3
MCP120T-315I/TT 24000 PUCE 14+ SOT-23
MCP1252-33X50I/MS 6935 PUCE 16+ MSOP
MCP1525T-I/TT 22350 PUCE 14+ SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB 11219 PUCE 16+ SOT-89
MCP1700T-1802E/TT 17041 PUCE 06+ SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB 14911 PUCE 09+ SOT-89
MCP1700T-3302E/TT 87000 PUCE 12+ SOT-23
MCP1700T-5002E/TT 6249 PUCE 16+ SOT-23
MCP1702T-3302E/MB 8308 PUCE 13+ SOT-89
MCP1703T-5002E/DB 6320 PUCE 13+ SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB 5514 PUCE 16+ SOT-223
MCP1826T-3302E/DC 6845 PUCE 15+ SOT223-5
MCP2122-E/SN 7708 PUCE 13+ SOP-8
MCP23S17-E/SO 8974 PUCE 15+ SOP-28
MCP2551-I/SN 7779 PUCE 16+ SOP-8
MCP2551T-E/SN 3957 PUCE 16+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5841 PUCE 15+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5770 PUCE 15+ SOP-8
MCP3208-CI/P 8740 PUCE 15+ IMMERSION
MCP3421AOT-E/CH 12828 PUCE 16+ SOT23-6
MCP3422AO-E/SN 3875 PUCE 10+ SOP-8
MCP3424-E/SL 8273 PUCE 16+ SOP-14
MCP3551-E/SN 7817 PUCE 16+ SOP-8
MCP41050T-I/SN 4450 PUCE 11+ SOP-8
MCP41100-I/SN 3572 PUCE 15+ SOP-8

 

 

FQP30N06

transistor MOSFET du N-canal 60V

 

Description générale

Ceux-ci des transistors à effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, rayure planaire, technologie de DMOS.

 

Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum la résistance de sur-état, pour fournir la représentation supérieure de commutation, et pour résister à l'impulsion de haute énergie en mode d'avalanche et de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour des applications de basse tension telles que les convertisseurs des véhicules à moteur, de C.C de C.C, et la commutation de rendement élevé pour la gestion de puissance dans les produits portatifs et à piles.

 

Caractéristiques

• 30A, 60V, RDS (dessus) = @V 0.04ΩGS = 10 V

• Basse charge de porte (19 typiques OR)

• Bas Crss (40 typiques PF)

• Commutation rapide

• avalanche 100% examinée

• Capacité améliorée de dv/dt

• estimation maximum de la température de jonction 175°C

 

Capacités absolues TC = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre FQP30N06 Unités
VSAD Tension de Drain-source 60 V
ID

Courant de drain - continu (TC = 25°C)

                    - Continu (TC = 100°C)

30 A
21,3 A
IDM Courant de drain - pulsé (note 1) 120 A
VGSS Tension de Porte-source ± 25 V
EAS Choisissez l'énergie pulsée d'avalanche (note 2) 280 MJ
IL'AR Courant d'avalanche (note 1) 30 A
EAR Énergie répétitive d'avalanche (note 1) 7,9 MJ
dv/dt Récupération maximale de diode dv/dt (note 3) 7,0 V/ns
PD

Dissipation de puissance (TC = 25°C)

                       - Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

79 W
0,53 W/°C
TJ, TSTG Opération et température ambiante de température de stockage -55 à +175 °C
TL La température maximum d'avance pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes 300 °C

 

Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06

 

 

 

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