Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Membre du site
10 Ans
Accueil / produits / Power Mosfet Transistor /

TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

Contacter
Anterwell Technology Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
Contacter

TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

Demander le dernier prix
Numéro de type :2SA1412
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7900pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Collecteur à la tension basse :−400 V
Collecteur à la tension d'émetteur :−400 V
Base à la tension d'émetteur :−7 V
Courant de collecteur (C.C) :−2.0 A
La température de jonction :°C 150
La température de stockage :−55 au °C +150
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
REF5025AIDGKR 7693 TI 15+ MSOP-8
REF5025AIDR 5866 TI 16+ SOP-8
REG113NA-3/3K 6375 TI 15+ SOT23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ DO-41
RHRP3060 17467 FSC 14+ TO-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ TO-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ SOT-563
RPR-220 3874 ROHM 14+ DIP-4
RR264MM-400TR 12000 ROHM 15+ SOD-123
RS1J-E3/61T 45000 VISHAY 16+ DO-214AC
RS3MB-13-F 18000 DIODES 16+ DO-214AA
RS507 88000 SEPT 16+ DIP-4
RSA5MG 164000 ROHM 16+ SOD-123
RSX101VA-30TR 66000 ROHM 15+ SOD-323
RT314012 3836 TYCO 13+ DIP-8
RT7257AHZSP 7602 RICHTEK 14+ SOP-8
RT8011APQW 20000 RICHTEK 14+ QFN
RT8250GSP 19368 RICHTEK 13+ SOP-8
RT8289GSP 6446 RICHTEK 12+ SOP-8
RT9161A-33PG 40000 RICHTEK 15+ SOT-223
RT9162-33PX 66000 RICHTEK 14+ SOT-89
RT9167A-33GB 11000 RICHTEK 13+ SOT23-5
RT9167A-50GB 23060 RICHTEK 16+ SOT23-5
RT9701PBL 90000 RICHTEK 13+ SOT23-5
RT9715EGB 67000 RICHTEK 11+ SOT23-5
RTC72421A 6330 EPSON 14+ DIP-18
RTD2271CW-CG 3861 REALTEK 12+ QFP128
RTL8111F-CG 3855 REALTEK 14+ QFN48
RU190N08Q 16236 RUICHIPS 16+ TO-247

 

 

TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM 2SA1412-Z

TRANSISTOR DIFFUS PAR TRIPLE DE SILICIUM DE PNP

 

DESCRIPTION

Le 2SA1412-Z est conçu pour la commutation à haute tension, particulièrement dans des circuits intégrés hybrides.

 

CARACTÉRISTIQUES

• Haute tension : VCEO = −400 V

• Grande vitesse : μs du ≤ 0,7 de tf

• Complément à 2SC3631-Z

 

CAPACITÉS ABSOLUES (TA = 25°C)

Collecteur à la tension basse VCBO −400 V

Collecteur auPrésident −400 Vde la tension V d'émetteur

Base à la tension VEBO −7 V d'émetteur

Courant de collecteur (C.C) IC(C.C) −2.0 A

Note 1 IC(impulsion) −4.0 Ade courantde collecteur (impulsion)

Dissipation de puissance totale (MERCI = 25°C) note 2 P2,0 W

°C de la température de jonction Tj 150

Stg −55de la température de stockage T au °C +150

                                                                                                                                                    

Notes Mme du ≤ 10 de 1. picowatt, ≤ 50% de coefficient d'utilisation

            2. Une fois monté sur le substrat en céramique de 7,5 cm2 de × 0,7 millimètres  

 

DESSIN de PAQUET (unité : millimètre)

TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

 

 

 

Inquiry Cart 0