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TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

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Numéro de type :2SA1412
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7900pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Collecteur à la tension basse :−400 V
Collecteur à la tension d'émetteur :−400 V
Base à la tension d'émetteur :−7 V
Courant de collecteur (C.C) :−2.0 A
La température de jonction :°C 150
La température de stockage :−55 au °C +150
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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
REF5025AIDGKR 7693 TI 15+ MSOP-8
REF5025AIDR 5866 TI 16+ SOP-8
REG113NA-3/3K 6375 TI 15+ SOT23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ DO-41
RHRP3060 17467 FSC 14+ TO-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ TO-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ SOT-563
RPR-220 3874 ROHM 14+ DIP-4
RR264MM-400TR 12000 ROHM 15+ SOD-123
RS1J-E3/61T 45000 VISHAY 16+ DO-214AC
RS3MB-13-F 18000 DIODES 16+ DO-214AA
RS507 88000 SEPT 16+ DIP-4
RSA5MG 164000 ROHM 16+ SOD-123
RSX101VA-30TR 66000 ROHM 15+ SOD-323
RT314012 3836 TYCO 13+ DIP-8
RT7257AHZSP 7602 RICHTEK 14+ SOP-8
RT8011APQW 20000 RICHTEK 14+ QFN
RT8250GSP 19368 RICHTEK 13+ SOP-8
RT8289GSP 6446 RICHTEK 12+ SOP-8
RT9161A-33PG 40000 RICHTEK 15+ SOT-223
RT9162-33PX 66000 RICHTEK 14+ SOT-89
RT9167A-33GB 11000 RICHTEK 13+ SOT23-5
RT9167A-50GB 23060 RICHTEK 16+ SOT23-5
RT9701PBL 90000 RICHTEK 13+ SOT23-5
RT9715EGB 67000 RICHTEK 11+ SOT23-5
RTC72421A 6330 EPSON 14+ DIP-18
RTD2271CW-CG 3861 REALTEK 12+ QFP128
RTL8111F-CG 3855 REALTEK 14+ QFN48
RU190N08Q 16236 RUICHIPS 16+ TO-247

 

 

TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM 2SA1412-Z

TRANSISTOR DIFFUS PAR TRIPLE DE SILICIUM DE PNP

 

DESCRIPTION

Le 2SA1412-Z est conçu pour la commutation à haute tension, particulièrement dans des circuits intégrés hybrides.

 

CARACTÉRISTIQUES

• Haute tension : VCEO = −400 V

• Grande vitesse : μs du ≤ 0,7 de tf

• Complément à 2SC3631-Z

 

CAPACITÉS ABSOLUES (TA = 25°C)

Collecteur à la tension basse VCBO −400 V

Collecteur auPrésident −400 Vde la tension V d'émetteur

Base à la tension VEBO −7 V d'émetteur

Courant de collecteur (C.C) IC(C.C) −2.0 A

Note 1 IC(impulsion) −4.0 Ade courantde collecteur (impulsion)

Dissipation de puissance totale (MERCI = 25°C) note 2 P2,0 W

°C de la température de jonction Tj 150

Stg −55de la température de stockage T au °C +150

                                                                                                                                                    

Notes Mme du ≤ 10 de 1. picowatt, ≤ 50% de coefficient d'utilisation

            2. Une fois monté sur le substrat en céramique de 7,5 cm2 de × 0,7 millimètres  

 

DESSIN de PAQUET (unité : millimètre)

TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

 

 

 

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