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BTS721L1 IC électronique ébrèche le commutateur électrique de quatre canaux intelligent de Highside

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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BTS721L1 IC électronique ébrèche le commutateur électrique de quatre canaux intelligent de Highside

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Numéro de type :BTS721L1
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7800pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension d'alimentation :43 V
Tension d'alimentation pour la pleine protection de court-circuit :34 V
Température de fonctionnement :-40… °C +150
La température de stockage :-55… °C +150
Capacité de décharge électrostatique (ESD) (modèle de corps humain) :1,0 kilovolts
Protection de décharge de charge :60 V
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Commutateur électrique de quatre canaux intelligent de Highside

 

 

Caractéristiques

• Protection de surcharge

• Limitation actuelle

• Protection de court-circuit

• Arrêt thermique

 

• Protection de surtension (décharge y compris de charge)

• Démagnétisation rapide des charges inductives

• Protection inverse1de batterie)

• Arrêt de sousvoltage et de surtension avec le redémarrage automatique et l'hystérésis

 

• Ouvrez la sortie de diagnostic de drain

• Ouvrez la détection de charge dans le Sur-état

• Entrée compatible de CMOS

• Perte de la terre et perte de protection de Vbb

• Protection de (ESD) de décharge électrostatique

                                                                                                                                               

1) Avec la limite actuelle externe (par exemple Ω de la terre =150 de résistance R) dans la connexion de la terre, la résistance en série avec la connexion de St, renversent limité actuel de charge par la charge reliée.

 

Application

• le commutateur électrique compatible de µC avec le retour diagnostique pour 12 V et 24 C.C de V a fondu des charges

• Tous les types de charges résistives, inductives et capacitives

• Remplace les relais électromécaniques et les circuits discrets

 

Description générale

FET vertical de puissance de canal de N avec la pompe de charge, l'entrée compatible à référence sur station au sol de CMOS et le retour de diagnostic, monolithiquement intégrés en technologie futée de SIPMOS. Fourniture des fonctions protectrices incluses.

 

Estimations maximum à Tj = 25°C sauf indication contraire

Paramètre Symbole Valeurs Unité
Tension d'alimentation (la protection de surtension voient la page 4) Bb V 43 V
Tension d'alimentation pour la pleine protection Tj, début =-40… +150°C de court-circuit Bb V 34 V
Courant de charge (le courant de court-circuit, voient la page 5) IL auto-limité A
Protection de décharge de charge2)VLoadDump = uA + contre, UA = 13,5 V RI 3) = 2 Ω, td = Mme 200 ; IN= bas ou haut, chaque canal a chargé avec RL = 4.7Ω, Vdécharge4decharge) 60 V

Gamme de température de fonctionnement

Température ambiante de température de stockage

Tj

Tstg

-40… +150

-55… +150

°C

Dissipation de puissance (DC) merci = 25°C :

(tout creuse des rigoles l'active) merci = 85°C :

Doigtde P

3,7

1,9

W

Dissipation d'énergie de commutateur- de charge inductive, impulsion simple

Vbb =12V, Tj, début =150°C5),

IL = 2,9 A, ZL = 58 MH, canal 0Ω un :

IL = 4,3 A, ZL = 58 MH, canaux 0Ω deux parallèles :

IL = 6,3 A, ZL = 58 MH, canaux 0Ω quatre parallèles :

EAS

 

 

0,3

0,65

1,5

J
Capacité de décharge électrostatique (ESD) (modèle de corps humain) VESD 1,0 kilovolt

Tension d'entrée (C.C)

Courant par la goupille d'entrée (C.C)

Courant par la goupille de statut (C.C)

VPO

IPO

IST

-10… +16

±2.0

±5.0

V

mA

 

Résistance thermique

jonction - point de soudure5),6) canal :

jonction -5 ambiantsun active de canal :

                                                                tout creuse des rigoles l'active :

 

Thjsde R

Thjade R

 

 

15

41

34

K/W

2) Les tensions d'alimentation plus haut que Vbb (AZ) exigent une limite actuelle externe pour les goupilles de la terre et de statut, par exemple avec une résistance de 150 Ω dans la connexion de la terre et une résistance de 15 kΩ en série avec la goupille de statut. Une résistance pour la protection d'entrée est intégrée.

3) RI = résistance interne du générateur d'impulsion d'essai de décharge de charge

4) Vladéchargedecharge est installée sans DUT relié au générateur par OIN 7637-1 et DIN 40839

5) Dispositif sur la carte PCB époxyde FR4 de 50mm*50mm*1.5mm avec (une couche, 70µm épais) le secteur de l'en cuivre 6cm2 pour la connexion de Vbb. La carte PCB est verticale sans air enflé. Voir la page 15

6) Point de soudure : côté supérieur du bord de soudure de la borne 15 de dispositif. Voir la page 15

 

BTS721L1 IC électronique ébrèche le commutateur électrique de quatre canaux intelligent de Highside

 

 

 

Stockez l'offre (la vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
TOP261YN 2373 PUISSANCE 16+ TO-220
TOP264VG 8873 PUISSANCE 16+ EDIP-12
TOP266EG 16921 PUISSANCE 10+ ESIP-7C
TOP267EG 7031 PUISSANCE 16+ ESIP-8C
TOP271EG 3488 PUISSANCE 15+ ESIP-7C
TORX173 2713 TOSHIBA 16+ DIP-6
TP3071N-G 5344 NSC 15+ DIP-20
TP3404V 1876 NSC 16+ PLCC28
TPA1517DWPR 10982 TI 11+ SOP-20
TPA3113D2PWPR 6422 TI 15+ HTSSOP28
TPA3123D2PWR 6127 TI 16+ TSSOP-24
TPA6120A2DWPR 3730 TI 15+ SOP-20
TPC8109 18035 TOSHIBA 16+ SOP-8
TPC8115-H 24551 TOSHIBA 14+ SOP-8
TPD1E10B09DPYR 44000 TI 15+ X2SON2
TPD2E001DRLR 17000 TI 16+ SOT-553
TPD4123K 2950 TOSHIBA 11+ DIP-26
TPD4S012DRYR 18161 TI 16+ SON-6
TPIC6595DWR 7838 TI 14+ SOP-20
TPIC6B273DWR 8162 TI 16+ SOP-20
TPIC6B596DWRG4 4856 TI 14+ SOP-20
TPL5010DDCR 7320 TI 16+ SOT23-6
TPS2041BDBVR 18106 TI 13+ SOT23-5
TPS2041CDBVR 24622 TI 16+ SOT23-5
TPS2042BDR 7385 TI 16+ SOP-8
TPS2046BDR 7505 TI 06+ SOP-8
TPS2052BDR 14753 TI 16+ SOP-8
TPS2054BDR 11053 TI 10+ SOP-16
TPS2111PWR 11124 TI 08+ TSSOP-8
TPS2543RTER 4305 TI 16+ QFN16

 

 

 

 

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