MT48LC32M16A2P -75IT IC programmable ébrèche, les circuits intégrés complexes populaires

MT48LC32M16A2P -75IT IC programmable ébrèche, les circuits intégrés complexes populaires

CARACTÉRISTIQUES

• PC100-, et PC133-compliant

• Entièrement synchrone ; tous les signaux se sont enregistrés sur le bord positif de l'horloge système

• Opération canalisée interne ; l'adresse de colonne peut être changée chaque rhythme

• Banques internes pour l'accès/pré-charge de dissimulation de rangée

• Longueurs programmables d'éclat : 1, 2, 4, 8, ou feuillet plein

• La pré-charge automatique, inclut la PRÉ-CHARGE AUTOMATIQUE CONCOURANTE, et l'automobile régénèrent des modes

• L'individu régénèrent le mode ; puissance faible standard et

• 64ms, le cycle 4 096 régénèrent

• entrées et sorties LVTTL-compatibles

• Alimentation d'énergie simple de +3.3V ±0.3V

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Le Micron® 128Mb SDRAM est un CMOS ultra-rapide, mémoire vive dynamique contenant 134 217 728 bits. Il est intérieurement configuré pendant qu'une DRACHME de quadruple-banque avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal d'horloge, CLK). Chacune des banques de bit de x4 33 554 432 est organisée en tant que 4 096 rangées par 2 048 colonnes par 4 bits. Chacune des banques de bit de x8 33 554 432 est organisée en tant que 4 096 rangées par 1 024 colonnes par 8 bits. Chacune des banques de bit de x16 33 554 432 est organisée en tant que 4 096 rangées par 512 colonnes par 16 bits

Lisez et les accès en écriture à SDRAM sont éclatés a orienté ; les accès commencent à un emplacement choisi et continuent pour un nombre programmé d'emplacements dans un ordre programmé. Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande ACTIVE, qui est alors suivie d'une LIRE ou la touche d'écriture. Le peu d'adresse a enregistré coïncident avec la commande ACTIVE est employé pour choisir la banque et la rangée à accéder (BA0, BA1 choisissent la banque ; A0-A11 choisissent la rangée). Le peu d'adresse a enregistré coïncident avec LUE ou la touche d'écriture est employé pour choisir l'emplacement commençant de colonne pour l'accès d'éclat.

SDRAM prévoit LUE programmable ou ÉCRIT des longueurs d'éclat de 1, 2, 4, ou 8 emplacements, ou le feuillet plein, avec un éclat terminent l'option. Une fonction automatique de pré-charge peut être permise de fournir une pré-charge selftimed de rangée qui est lancée à la fin de l'ordre d'éclat.

BULLETIN DE LA COTE