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CY62256NLL-70PXC 256K (carte de carte de circuit imprimé de 32K X 8) MÉMOIRE RAM statique IC IC

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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CY62256NLL-70PXC 256K (carte de carte de circuit imprimé de 32K X 8) MÉMOIRE RAM statique IC IC

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Numéro de type :CY62256NLL-70PXC
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :290pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
La température de stockage :. – 65°C à +150°C
Température ambiante avec mis sous tension :. -55°C à +125°C
Tension d'alimentation pour rectifier le potentiel :– 0.5V à +7.0V
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CY62256NLL-70PXC 256K (carte de carte de circuit imprimé de 32K X 8) MÉMOIRE RAM statique IC IC


Caractéristiques

Températures ambiantes de ■

Message publicitaire de ❐ : 0°C à 70°C

❐ industriel : – 40°C à 85°C

❐ des véhicules à moteur-Un : – 40°C à 85°C

❐ des véhicules à moteur-e : – 40°C à 125°C

Grande vitesse de ■ : 55 NS

Chaîne de tension de ■ : 4.5V à l'opération 5.5V

■ bas Active Power

❐ 275 mW (maximum)

Basse alimentation générale de ■ (version de LL)

μW du ❐ 82,5 (maximum)

Ajout de mémoire facile de ■ avec des configurations de la CE et d'OE

Entrées et sorties TTL-compatibles de ■

Mise hors tension automatique de ■ une fois ne pas sélectionner

■ CMOS pour la vitesse et la puissance optimas

■ disponible dans 28-Pin sans Pb et non sans Pb (600-mil) PDIP,

étroit 28-Pin (300-mil) SOIC, 28-Pin TSOP-I,

et 28-Pin paquets de l'inverse TSOP-I

 

Description fonctionnelle

Le CY62256N [1] est une haute performance CMOS MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que mots 32K par 8 bits. L'ajout de mémoire facile est fourni par une BASSE puce active permettent (CE) et la BASSE sortie active permettent (OE) et les conducteurs de trois états. Ce dispositif fait comporter une puissance automatique vers le bas, réduisant la puissance par 99,9 pour cent une fois ne pas sélectionner.

 

Un BAS actif écrivent permettent des contrôles de signal (NOUS) l'écriture/opération "lecture" de la mémoire. Quand le CE et NOUS des entrées sont les deux BAS, des données sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données (I/O0 par I/O7) sont écrites dans l'emplacement de mémoire adressé par l'adresse actuelle sur les goupilles d'adresse (A0 par A14). La lecture du dispositif est accomplie en choisissant le dispositif et en permettant les sorties, le CE et le BAS actif d'OE, alors que NOUS reste inactif ou HAUT. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement adressé par l'information sur des goupilles d'adresse est présent sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données.

 

Les goupilles d'entrée-sortie restent dans un état à grande impédance à moins que la puce soit choisie, des sorties sont permises, et écrivent permettent (WE) est HAUTE.

 

 

CY62256NLL-70PXC 256K (carte de carte de circuit imprimé de 32K X 8) MÉMOIRE RAM statique IC IC

 

BULLETIN DE LA COTE 

CA1458E 1380 INTERSIL 15+ IMMERSION
7MBR50NF060 500 FUJI 16+ MODULE
AD517JH 2450 ANNONCE 13+ POUVEZ
2N6394 3000 SUR 14+ TO-220
2SA1385-Z-E1 3000 NEC 16+ TO-252
ASPC2R/STE2A 1600 SUR 16+ QFP100
IRF710 1500 IR 13+ CONCESSION
BQ27510DRZR-G2 1560 TI 15+ QFN
IRF840 1500 IR 16+ TO-220
IRF740 1500 IR 16+ CONCESSION
ADG783BCPZ 2000 ANNONCE 15+ LFCSP
ADM3202ARNZ 2000 ANNONCE 15+ SOP-16
1N4448W-7-F 9000 DIODES 13+ SOD123
IRF7389TR 1500 IR 15+ CONCESSION
HA13164AH 3460 COUP 15+ IMMERSION
IRFR024N 1500 IR 13+ TO-252
HT9302G 2460 HOLTEK 14+ DIP-16
BTA08-600BW 2100 St 13+ TO-220
2SD1555 3000 TOSHIBA 13+ TO-3P
2SK2996 3000 TOSHIBA 15+ TO-220F
2SK2671 3000 SHINDENGE 15+ TO-220
2SK3451 3000 FUJI 16+ TO-220F
AD574AJD 2450 ANNONCE 16+ DIP-28
4N32 3000 FSC 15+ DIP-6
2SC3997 3000 SANYO 15+ TO-3PL
2SC5148 3000 TOSHIBA 16+ TO-3P
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