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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Transistor MOSFET intérieurement maintenu de puissance de commutation d'Igbt de la Manche de MGP20N40CL Smartdiscretes N

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Numéro de type :MGP20N40CL

Point d'origine :Originale

Quantité d'ordre minimum :50pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :5200PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

IC :20 CDA

ICR :12 Apk

Palladium :150 watts

ESD :3,5 kilovolts

TJ, Tstg :– °C 55 à 175

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MGP20N40CL SMARTDISCRETES intérieurement maintenu, transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de commutation du N-canal IGBT

Ce niveau de logique a isolé la protection bipolaire d'ESD de Porte-émetteur de caractéristiques de (IGBT) de transistor de porte, protection de surtension de Porte-collecteur contre les circuits monolithiques de  de SMARTDISCRETES pour l'utilisation comme conducteur de bobine d'allumage

• Effort à température compensée de limites de bride de Porte-collecteur appliqué à la charge

• Protection intégrée de diode d'ESD

• Basse tension de seuil pour connecter des charges de puissance à la logique ou aux microprocesseurs

• Basse tension de saturation

• Capacité actuelle pulsée élevée

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES TYPIQUES

BULLETIN DE LA COTE

TA8428K	13376	TOSHIBA	16+	ZIP-7
TB2926HQ	1850	TOSHIBA	14+	ZIP-25
TB6560AHQ	1988	TOSHIBA	14+	ZIP-25
TB6600HG	1793	TOSHIBA	16+	ZIP-25
TB2926AHQ	2854	TOSHIBA	16+	ZIP-25
TA8218AH	20999	TOSHIBA	16+	ZIP-17
TA8429H	2432	TOSHIBA	16+	ZIP-12
TA8429HQ	43204	TOSHIBA	16+	ZIP-12
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TA7270P	2903	TOSHIBA	16+	ZIP-12
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TPS62125DSGR	12820	TI	15+	WSON-8
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W25Q16DWZPIG	13646	WINBOND	16+	WSON-8
W25Q256FVEIG	5330	WINBOND	16+	WSON-8
W25Q64CVZEIG	7900	WINBOND	16+	WSON-8
TLV70033DSER	10016	TI	14+	WSON-6
TPS62175DQCR	1854	TI	15+	WSON-10

Mots clés du produit: