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La diode de redresseur d'US1M-E3/61T SMA jeûnent des diodes de redresseur de récupération

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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La diode de redresseur d'US1M-E3/61T SMA jeûnent des diodes de redresseur de récupération

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Numéro de type :US1M-E3/61T
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :1800pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :30600pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension inverse maximale répétitive maximum :1000 V
Tension maximum de RMS :700 V
Tension de blocage de C.C de maximum :1000 V
Opération et température de stockage :- 55 + au °C 150
Temps de rétablissement inverse maximum :75 NS
Capacité de jonction typique :10 PF
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US1A par US1M

Redresseur ultra-rapide de bâti extérieur

 

CARACTÉRISTIQUES

• Paquet de profil bas

• Idéal pour le placement automatisé

• Jonction de puce passivée par verre

• Temps de rétablissement inverse ultra-rapide

• Basses pertes de commutation, rendement élevé

• Capacité de crête en avant élevée

• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, crête maximum de LF du °C 260

• °C de l'immersion 260 de soudure, 40 s

• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

 

APPLICATIONS TYPIQUES

À l'utilisation dans la rectification à haute fréquence et à l'application indépendante dans des convertisseurs et des inverseurs de mode de commutation pour le consommateur, l'ordinateur, des véhicules à moteur et télécommunication.

 

DONNÉES MÉCANIQUES

Cas : DO-214AC (SMA)

L'époxyde rencontre l'estimation d'inflammabilité de l'UL 94V-0

Terminaux : Avances plaque en fer blanc par matte, solderable par J-STD-002 et JESD22-B102

Le suffixe E3 pour la qualité grand public, rencontre l'essai de favori de la classe 1A de JESD 201, le suffixe HE3 pour la catégorie élevée de fiabilité (l'AEC Q101 qualifiée), rencontre l'essai de favori de la classe 2 de JESD 201

Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (TA = °C 25 sauf indication contraire)

PARAMÈTRE SYMBOLE US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNITÉ
Code de repérage de dispositif   UA UB UD Ug UJ LE R-U UM  
Tension inverse maximale répétitive maximum VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
Tension maximum de RMS VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V
Tension de blocage de C.C de maximum VC.C 50 100 200 400 600 800 1000 V
Courant en avant rectifié moyen maximum à TL = °C 110 IF(POIDS DU COMMERCE) 1,0 A
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi superposée à la charge évaluée IFSM 30 A
Opération et température ambiante de température de stockage TJ, TSTG -55 à +150 °C

 

DIMENSIONS d'ENSEMBLE de PAQUET en pouces (millimètres)

La diode de redresseur d'US1M-E3/61T SMA jeûnent des diodes de redresseur de récupération

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet

 

STM8S105K6T6C 17768 St 14+ LQFP32
STM32F429BIT6 494 St 14+ LQFP208
STM32F407IGT6 755 St 14+ LQFP176
STM32F429IIT6 563 St 14+ LQFP176
STM32F207IGT6 788 St 15+ LQFP-17
TW2826-LA2-CR 1649 INTERSIL 12+ LQFP144
STM32F103ZET6 1277 St 16+ LQFP144
STM32F407ZET6 914 St 14+ LQFP144
STM32F407ZGT6 758 St 13+ LQFP144
STM32F429ZGT6 575 St 16+ LQFP144
RTL8100CL-LF 3092 REALTEK 13+ LQFP128
RTL8365MB-CG 1685 REALTEK 13+ LQFP128
STM32F103VCT6 2156 St 15+ LQFP100
STM32F103VET6 1865 St 15+ LQFP100
STM32F107VCT6 1526 St 13+ LQFP100
STM32F205VET6 935 St 16+ LQFP100
STM32F207VCT6 1433 St 15+ LQFP100
STM32F207VET6 1178 St 16+ LQFP100
STM32F405VGT6 950 St 14+ LQFP100
STM32F407VGT6 887 St 14+ LQFP100
STM32F103RBT6 2249 St 14+ LQFP
STM32F103RET6 1514 St 15+ LQFP
STM32F205RBT6 1508 St 16+ LQFP
RLR4001 84000 ROHM 16+ LL41
RLS4148TE-11 72600 ROHM 16+ LL-34
RLS245TE-11 69500 ROHM 16+ LL34
RLZ3.3B 54000 ROHM 16+ LL34
RLZ33B 14400 ROHM 13+ LL34
RLZTE-115.1B 43800 ROHM 13+ LL34
TMMBAT42FILM 82500 St 09+ LL34

 

 

 

 

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