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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

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Numéro de type :FDS6990A

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :7000PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

tension de Drain-source :30 V

Tension de Porte-Source :± 20 V

La température de jonction fonctionnante :– °C 55 à +150

La température de stockage :– °C 55 à +150

Résistance thermique, Jonction-à-ambiante :78 °C/W

Résistance thermique, Jonction-à-cas :40 °C/W

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De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

Description générale

Ceux-ci des transistors MOSFET de niveau de logique de N-canal sont produits utilisant le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état mais maintenir la représentation supérieure de commutation.

Ces dispositifs sont bien adaptés pour la basse tension et les applications à piles où la basse perte de puissance intégrée et la commutation rapide sont exigées.

Caractéristiques

· 7,5 A, 30 V.R_DS(DESSUS) = 18 mW @ V_GS = 10 V

R_DS(DESSUS) = 23 mW @ V_GS = 4,5 V

· Vitesse de commutation rapide

· Basse charge de porte

· Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - bas R_DS(DESSUS)

· Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

Capacités absolues T_A =25℃ sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	Estimations	Unités
V_SAD	Tension de Drain-source	30	V
V_GSS	Tension de Porte-source	± 20	V
I_D	Courant de drain – continu (note 1a) – Pulsé	7,5	A
I_D	Courant de drain – continu (note 1a) – Pulsé	20	A
P_D	Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a) (Note 1B) (Note 1c)	1,6	W
		1,0
		0,9
T_J, T_STG	Opération et température ambiante de jonction de stockage	– 55 à +150	℃

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Quantité

Marque

D/C

Paquet

G5V-1-DC9	6255	OMRON	15+	IMMERSION
G5V-2-12VDC	7727	OMRON	14+	IMMERSION
G60N100BNTD	3498	FAIRCHILD	13+	TO-264
G65SC51P-2	6939	CMD	16+	DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC	10509	OMRON	13+	SOP-8
GAL16V8D-25LP	5311	TRELLIS	16+	DIP-20
GBL08-E3/51	13704	VISHAY	14+	DIP-4
GBPC3508W-E4/51	8669	VISHAY	16+	DIP-4
GBU408	90000	SEPT	13+	ZIP-4
GBU6K	14556	LRC	13+	SIP-4
GBU8M	17593	VISHAY	15+	DIP-4
GE865-QUAD	1285	TELIT	14+	GPRS
GIPS20K60	2254	St	13+	MODULE
GL34A	4000	DIOTEC	13+	DO-213AA
GL41D	20000	GS	13+	LL41
GL852G-MNG12	7574	GENESYS	15+	LQFP-48
GL865 CONJUGUENT	1174	TELIT	10+	GPRS
GLL4760-E3/97	24000	VISHAY	10+	Na
GP1S094HCZ0F	5752	POINTU	13+	DIP-4
GS2978-CNE3	2125	GENNUM	15+	QFN16
GS2984-INE3	1336	GENNUM	13+	QFN
GS2988-INE3	6693	GENNUM	16+	QFN16
GS3137-08-TAZ	2008	CONEXANT	09+	TSSOP
GSIB2580-E3/45	4938	VISHAY	16+	GSIB-5S
GSOT03C-GS08	7000	VISHAY	15+	SOT-23
GVA-63+	8824	MINI	15+	SOT-23
GVA-84+	4397	MINI	14+	SOT-89
H11AA1SR2M	14966	FAIRCHILD	14+	SOP-6
H11AA4	15037	FAIRCHILD	14+	IMMERSION
H11AG1SR2M	4006	FAIRCHILD	14+	SOP-6

Mots clés du produit:

trench gate mosfet

mosfet switching losses

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