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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Transistor P simple - transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance de FDS9435A de la Manche

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Numéro de type :FDS9435A

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :8300pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

tension de Drain-source :– 30 V

Tension de Porte-Source :±25 V

La température de jonction fonctionnante :– °C 55 à +175

La température de stockage :– °C 55 à +175

Vidangez le courant (continu) :– 5,3 A

Résistance thermique, Jonction-à-cas :25 °C/W

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Transistor P simple - transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance de FDS9435A de la Manche

Description générale

Ce transistor MOSFET de P-canal est une version rocailleuse de porte du processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild. Il a été optimisé pour des applications de gestion de puissance que l'exigence un large éventail a donné les estimations de tension d'entraînement (4.5V – 25V).

Applications

· Gestion de puissance

· Commutateur de charge

· Protection de batterie

Caractéristiques

· – 5,3 A, – 30 V R_DS(DESSUS) = 50 mW @ V_GS = – 10 V

R_DS(DESSUS) = 80 mW @ V_GS = – 4,5 V

· Basse charge de porte

· Vitesse de commutation rapide

· Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)

· Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

Capacités absolues T_A =25℃ sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	Estimations	Unités
V_SAD	Tension de Drain-source	-30	V
V_GSS	Tension de Porte-source	±25	V
I_D	Courant de drain – continu (note 1a) – Pulsé	-5,3	A
I_D	Courant de drain – continu (note 1a) – Pulsé	-50	A
P_D	Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a) (Note 1B) (Note 1c)	2,5	W
		1,2
		1
T_J, T_STG	Opération et température ambiante de jonction de stockage	-55 à +175	°C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Quantité

Marque

D/C

Paquet

H11G1SR2M	3977	FAIRCHILD	10+	SOP-6
H11L1SR2M	14256	FAIRCHILD	16+	CONCESSION
H1260NL	10280	IMPULSION	15+	SMD
HA17324	3948	RENESAS	14+	DIP-14
HA17324ARPEL-E-Q	7361	RENESAS	15+	SOP-14
HCF4051BEY	3919	St	16+	IMMERSION
HCF4052M013TR	7598	St	13+	SOP-16
HCF4060BE	18658	St	14+	IMMERSION
HCNR200	6587	AVAGO	15+	DIPSOP
HCNR200-000E	7432	AVAGO	15+	IMMERSION
HCNW2611-000E	5720	AVAGO	16+	DIP-8
HCNW4502	6210	AVAGO	13+	CONCESSION
HCPL-0466	3551	AVAGO	15+	SOP-8
HCPL-0630	15108	AVAGO	16+	SOP-8
HCPL-0639	5791	FAIRCHILD	13+	SOP-8
HCPL-181-000E	9000	AVAGO	16+	SOP-4
HCPL-2602	8795	AVAGO	16+	SOP-8
HCPL2630SD	2204	FSC	16+	CONCESSION
HCPL-2731	15179	AVAGO	13+	DIPSOP
HCPL-3120	9870	AVAGO	15+	DIPSOP
HCPL-316J	13751	AVAGO	12+	SOP-18
HCPL-4504	21001	AVAGO	16+	DIPSOP
HCPL-4506	12623	AVAGO	14+	DIP-8
HCPL-7840-500E	5971	AVAGO	15+	CONCESSION
HCPL-786J	13822	AVAGO	16+	SOP-16
HD06-T	54000	DIODES	15+	SMD
HD64F3687FPV	3168	RENESAS	14+	TQFP-64
HD74LS00P	8647	RENESAS	16+	DIP-14
HD74LS04P	8718	RENESAS	13+	DIP-14
HD74LS125P	8931	RENESAS	15+	IMMERSION

Mots clés du produit:

trench gate mosfet

voltage power optimizer

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