Les composants électroniques de circuit intégré de PIC18LF4520I/PT ont augmenté les microcontrôleurs instantanés

PIC18F2420/2520/4420/4520

28/40/44-Pin a augmenté les microcontrôleurs instantanés avec 10-Bit A/D et technologie de nanowatt

La puissance a contrôlé des modes :

• Course : Unité centrale de traitement dessus, périphériques dessus

• Ralenti : Unité centrale de traitement, périphériques dessus

• Sommeil : Unité centrale de traitement, périphériques

• Courants de mode inactivité vers le bas au µA 5,8 typique

• Courant de mode de sommeil vers le bas à 0,1 µA typiques

• Oscillateur Timer1 : 1,8 µA, 32 kilohertz, 2V

• Horloge de surveillance : µA 2,1

• Démarrage à deux vitesses d'oscillateur

Points culminants de périphérique :

• Évier à forte intensité/source 25 mA/25 mA

• Trois interruptions externes programmables

• Quatre interruptions entrées de changement

• Jusqu'à 2 modules de la capture/Compare/PWM (CCP), un avec l'Automatique-arrêt (dispositifs 28-pin)

• Module augmenté de la capture/Compare/PWM (ECCP) (dispositifs 40/44-pin seulement) :

  - Une, deux ou quatre sorties de PWM

  - Polarité sélectionnable

  - Temps mort programmable

  - Automatique-arrêt et redémarrage automatique

• Module synchrone principal de (MSSP) de porte série soutenant desmodes à 3 fils de SPI™ (chacun des 4 modes) et^demaîtreetd'esclaved'I²C™

• Module accessible augmenté d'USART :

  - Appuis RS-485, RS-232 et LIN 1,2

  - Opération RS-232 utilisant le bloc interne d'oscillateur (aucun cristal externe requis)

  - Automatique-sillage- sur le bit de départ

  - L'Automatique-baud détectent

• 10 le bit, jusqu'à 13 acheminent le module de convertisseur analogique-numérique (A/D) :

  - capacité d'Automatique-acquisition

  - Conversion disponible pendant le sommeil

• Doubles comparateurs analogues avec le multiplexage d'entrée)

Structure flexible d'oscillateur :

• Quatre modes en cristal, jusqu'à 40 mégahertz

• boucle de serrure de la phase 4X (disponible pour les oscillateurs en cristal et internes)

• Deux modes externes de RC, jusqu'à 4 mégahertz

• Deux modes d'horloge externes, jusqu'à 40 mégahertz

• Bloc interne d'oscillateur :

  - 8 fréquences choisies par l'usager, de 31 kilohertz à 8 mégahertz

  - Fournit à une gamme complète de fréquences d'horloge de 31 kilohertz à 32 mégahertz une fois utilisé PLL

  - Utilisateur réglable pour compenser la dérive de fréquence

• Oscillateur secondaire utilisant Timer1 @ 32 kilohertz

• Moniteur de sécurité d'horloge :

  - Tient compte de l'arrêt du système par précaution si l'horloge périphérique s'arrête

Caractéristiques spéciales de microcontrôleur :

• Architecture optimisée par compilateur C :

  - Le jeu d'instructions prolongé facultatif a conçu pour optimiser le code de réentrée

• 100 000 effacements/écrivent la mémoire instantanée de programme augmentée par cycle typique

• 1 000 000 effacements/écrivent la mémoire des données EEPROM de cycle typique

• Conservation d'instantané/données EEPROM : 100 ans de typique

• contrôle de dessous Auto-programmable de logiciel

• Niveaux de priorité pour des interruptions

• multiplicateur de matériel de 8 x 8 Simple-cycles

• Horloge de surveillance prolongée (WDT) :

  - Période programmable de Mme 4 à 131s

• Simple-approvisionnement 5V Programming™ périodique en circuit (ICSP™) par l'intermédiaire de deux bornes

• En circuit corrigez (ICD) par l'intermédiaire de deux bornes

• Grand choix de tension d'opération : 2.0V à 5.5V

• 16 hautes de niveau programmable - basses - module de la détection de tension (HLVD) :

  - Interruption de soutiens sur la haute - basse - détection de tension

• Remise programmable d'arrêt partiel (BOR - avec le logiciel permettez l'option

Capacités absolues (†)

Température ambiante sous la polarisation ........................................................................... - 40°C à +125°C

Température de stockage ........................................................................................... -65°C à +150°C

Tension sur toute goupille en ce qui concerne V_{solides solubles} (excepté la_{densité double}, le MCLR et le RA4 de V) ........ -0.3V à (VDD + 0.3V)

Tension sur la_{densité doublede} V en ce qui concerne V_{solides solubles} ........................................................................ -0.3V à +7.5V

Tension sur MCLR en ce qui concerne V_{solides solubles} (note 2) ........................................................ 0V à +13.25V

Dissipation de puissance totale (note 1) .............................................................................................. 1.0W

Le courant maximum hors de V_{solides solubles} goupillent ........................................................................................... 300 mA

Courant maximum dans la goupille_{dedensité double} de V .............................................................................................. 250 mA

Courant de bride d'entrée, I_IK (V_JE< 0="" or="" V=""> _{densité double} d'I >_de V) .......................................................................... ±20 mA

Produisez le courant de bride, l'_OKd'I (V_O< 0="" or="" V=""> _{densité double} d'O >_de V) .................................................................. ±20 mA

Courant de sortie maximum descendu par toute goupille d'entrée-sortie ............................................................................ 25 mA

Courant de sortie maximum originaire par toute goupille d'entrée-sortie ...................................................................... 25 mA

Courant maximum descendu par tous les ports ......................................................................................... 200 mA

Courant maximum originaire par tous les ports .................................................................................... 200 mA

Note

1 : La dissipation de puissance est calculée comme suit : _{Densité double} X de Pdis = de V {_{densité doubled'}I – ∑ I_OH} + ∑ {(_{densité doublede} V – V_OH) x I_OH} + ∑ (V_OL X I_OL)

2 : Les pointes de tension au-dessous de V_{solides solubles} à la goupille MCLR/VPP/RE3, induisant les courants de plus grand que 80 mA, peuvent causer le verrou-. Ainsi, une résistance de série de 50-100Ω devrait être utilisée en appliquant un « bas » de niveau à la goupille_de MCLR/V_pp RE3, plutôt que tirant cette goupille directement à V_{solides solubles}.

AVIS de † : Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est un effort évaluant seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ceux ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les listes d'opération de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions maximum d'estimation pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

Diagrammes de bornes

Offre courante (vente chaude)