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Transistor de commutation du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance PMBT3906

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China Transistor de commutation du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance PMBT3906 wholesale
  • China Transistor de commutation du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance PMBT3906 wholesale

Transistor de commutation du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance PMBT3906
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Numéro de type :PMBT3906
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7900pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :−40 V
Tension de collecteur-émetteur :−40 V
tension d'Émetteur-base :−6 V
Courant de collecteur :−200 mA
courant de collecteur maximal :−200 mA
La température de stockage :−65 au °C +150
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Transistor de commutation de PMBT3906 PNP

 

Description générale

Transistor de commutation de PNP dans un petit paquet Surface-monté de plastique de (SMD) du dispositif SOT23 (TO-236AB).

Complément de NPN : PMBT3904.

 

Caractéristiques et „ d'avantages

Président de la tension de collecteur-émetteur V = „ de −40 V

Capacité I de courant de collecteurC = −200 mA

 

„ d'applications

Amplification et commutation générales

 

Données de référence rapide

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
VPRÉSIDENT tension de collecteur-émetteur ouvrez la base - - −40 V
IC courant de collecteur   - - −200 V

 

Valeurs limites

Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 60134).

Symbole Paramètre Conditions Minute Maximum Unité
VCBO tension de collecteur-base ouvrez l'émetteur - −40 V
VPRÉSIDENT tension de collecteur-émetteur ouvrez la base - −40 V
VEBO tension d'émetteur-base ouvrez le collecteur - −6 V
IC courant de collecteur   - -200 mA
ICM courant de collecteur maximal   - -200 mA
INOMENCLATURE courant bas maximal   - -100 mA
Doigtde P dissipation de puissance totale °Cdu ≤ 25 d'amb de T [1] - 250 mW
Tj la température de jonction   - 150 °C
Tamb température ambiante   -65 +150 °C
Tstg température de stockage   -65 +150 °C

[1] dispositif monté sur un panneau (PCB) du circuit imprimé FR4.

 

Contour SOT23 (TO-236AB) de paquet

Transistor de commutation du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance PMBT3906

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
MC7812CDTRKG 16031 SUR 15+ TO-252
MC7815CD2TR4G 5523 SUR 08+ SOT-263
MC78L05ACDR2G 52000 SUR 15+ SOP-8
MC78L12ABDR2G 75000 SUR 16+ SOP-8
MC78L12ACPG 16970 SUR 12+ TO-92
MC78L12ACPRA 6178 SUR 06+ TO-92
MC78M05CDTX 56000 FAIRCHILD 10+ SOT-252
MC78M12CDTRKG 30000 SUR 15+ TO-252
MC78M15CDTRKG 9089 SUR 15+ TO-252
MC7912CTG 8237 SUR 15+ TO-220
MC79M08BDTRKG 22279 SUR 16+ SOT-252
MC908GP32CFBE 2976 FREESCALE 16+ QFP44
MC908QB8CDWE 2947 FREESCALE 13+ SOP-16
MC9S08AC128CFUE 2664 FREESCALE 10+ QFP64
MC9S08AC32CFUE 3647 FREESCALE 13+ QFP64
MC9S08AC60CFGER 3556 FREESCALE 14+ QFP64
MC9S08JM32CLH 3558 FREESCALE 16+ QFP
MC9S08PA4VTG 5639 FREESCALE 16+ TSSOP-16
MC9S08QD2CSC 5610 FREESCALE 15+ SOP-8
MC9S08QD4CPC 4242 FREESCALE 13+ IMMERSION
MC9S08QD4CSC 6683 FREESCALE 15+ SOP-8
MC9S08QE16CWL 2918 FREESCALE 10+ SOP-28
MC9S08SH4CTJR 15455 FREESCALE 15+ TSSOP
MC9S08SH8CTJ 4213 FREESCALE 13+ TSSOP-20
MC9S12NE64CPVE 445 FREESCALE 09+ QFP
MCF51QE128CLK 2655 FREESCALE 13+ QFP80
MCF51QE64CLH 4628 FREESCALE 12+ QFP
MCF52233CAL60 1552 FREESCALE 07+ LQFP-112
MCF5271CAB100 904 FREESCALE 13+ QFP160
MCIMX287CVM4B 3064 FREESCALE 15+ BGA

 

 

 

 

 

Mots clés du produit:

pnp junction transistor

mosfet current limiter

difference between pnp and npn
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