Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Membre du site
10 Ans
Accueil / produits / Rectifier Diode /

Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

Contacter
Anterwell Technology Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
Contacter

Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

Demander le dernier prix
Numéro de type :BZG05C6V2TR
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Dissipation de puissance maximale non répétitive de montée subite :60 W
Jonction à mener :30 K/W
La température de jonction :°C 150
La température de stockage :- 65 + au °C 150
Tension en avant (maximum) :1,2 V
Paquet :DO-214AC
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

 

BZG05C-Series

Diodes Zener

Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

CARACTÉRISTIQUES

• Fiabilité élevée

• Chaîne de tension 3,3 V à 100 V

• Ajustements sur des pattes de 5 millimètres SMD

• Vague et ré-écoulement solderable

• AEC-101 qualifié

• Conforme à la directive 2002/95/EC de RoHS et dans l'accord à WEEE 2002/96/EC

 

APPLICATIONS

• Stabilisation de tension

 

CARACTÉRISTIQUES PRIMAIRES

PARAMÈTRE VALEUR UNITÉ
V nom de chaîne deZ. 3,3 à 100 V
Examinez le courant IZT 2,7 à 80 mA
V spécifications deZ Courant d'impulsion  
International. construction Simple  

 

CAPACITÉS ABSOLUES (Tamb = °C 25, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE CONDITION D'ESSAI SYMBOLE VALEUR UNITÉ
Dissipation de puissance RdethJA < 30="" K=""> Ptot 3000 mW
RdethJA < 100="" K=""> Ptot 1250 mW
Dissipation de puissance maximale non répétitive de montée subite tp = 100 μs sq.pulse, Tj = °C 25 avant la montée subite PZSM 60 W
Jonction à mener   RdethJL 30 K/W
Jonction à l'air ambiant Monté sur le tissu dur d'époxyde-verre, fig. 1a RdethJA 150 K/W
Monté sur le tissu dur d'époxyde-verre, fig. 1B RdethJA 125 K/W
Monté sur Al-oxid-en céramique (Al2O3), fig.1B RdethJA 100 K/W
La température de jonction   Tj 150 °C
Température ambiante de température de stockage   Tstg - 65 + à 150 °C
Tension en avant (maximum) IF = 0,2 A VF 1,2 V

 

DIMENSIONS de PAQUET dans les millimètres (pouces) : DO-214AC

Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
TLP759 24480 TOSHIBA 16+ SOP-8
TLP785GB 71000 TOSHIBA 16+ DIP-4
TLV2217-33KCSE3 14631 TI 11+ TO-220
TLV2373IDGSR 4914 TI 06+ MSOP-10
TLV2401CDBVR 8191 TI 15+ SOT23-5
TLV2464IPWR 3517 TI 11+ TSSOP-14
TLV2472AIDR 6435 TI 14+ SOP-8
TLV2771CDBVR 16946 TI 16+ SOT23-5
TLV2774IDR 6156 TI 10+ SOP-14
TLV5606CDGKR 6012 TI 06+ VSSOP-8
TLV5610IPWR 2618 TI 14+ TSSOP-20
TLV5610IPWR 2532 TI 11+ TSSOP-20
TLV62130RGTR 5398 TI 16+ QFN16
TLV70033DDCR 43000 TI 14+ SOT23-5
TLV70433DBVR 91000 TI 13+ SOT23-5
TM4C123FH6PMI 1543 TI 13+ LQFP-64
TM4C129ENCPDTI3R 2790 TI 13+ QFP128
TMD0507-2A 229 TOSHIBA 15+ SMD
TMP102AIDRLR 4371 TI 16+ SOT-563
TMP82C79P-2 3478 TOSHIBA 98+ DIP-40
TMPM374FWUG 3299 TOSHIBA 11+ LQFP-44
TMS27PC256-15NL 2483 TI 94+ DIP-24
TMS320F2810PBKA 1741 TI 16+ QFP
TMS320F2810PBKQ 1417 TI 12+ QFP128
TMS320F28335PGFA 1687 TI 16+ LQFP-176
TMS3705A1DR 3402 TI 15+ SOP-16
TMS3705ADR 2854 TI 15+ SOP-16
TN1215-600B-TR 3868 St 14+ TO-252
TN6Q04 17017 SANYO 14+ TO-220-5
TN80C188EB20 418 INTEL 05+ PLCC84

 

 

 

 

Inquiry Cart 0