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Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

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Numéro de type :BZG05C6V2TR
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Dissipation de puissance maximale non répétitive de montée subite :60 W
Jonction à mener :30 K/W
La température de jonction :°C 150
La température de stockage :- 65 + au °C 150
Tension en avant (maximum) :1,2 V
Paquet :DO-214AC
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BZG05C-Series

Diodes Zener

Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

CARACTÉRISTIQUES

• Fiabilité élevée

• Chaîne de tension 3,3 V à 100 V

• Ajustements sur des pattes de 5 millimètres SMD

• Vague et ré-écoulement solderable

• AEC-101 qualifié

• Conforme à la directive 2002/95/EC de RoHS et dans l'accord à WEEE 2002/96/EC

 

APPLICATIONS

• Stabilisation de tension

 

CARACTÉRISTIQUES PRIMAIRES

PARAMÈTRE VALEUR UNITÉ
V nom de chaîne deZ. 3,3 à 100 V
Examinez le courant IZT 2,7 à 80 mA
V spécifications deZ Courant d'impulsion  
International. construction Simple  

 

CAPACITÉS ABSOLUES (Tamb = °C 25, sauf indication contraire)

PARAMÈTRE CONDITION D'ESSAI SYMBOLE VALEUR UNITÉ
Dissipation de puissance RdethJA < 30="" K=""> Ptot 3000 mW
RdethJA < 100="" K=""> Ptot 1250 mW
Dissipation de puissance maximale non répétitive de montée subite tp = 100 μs sq.pulse, Tj = °C 25 avant la montée subite PZSM 60 W
Jonction à mener   RdethJL 30 K/W
Jonction à l'air ambiant Monté sur le tissu dur d'époxyde-verre, fig. 1a RdethJA 150 K/W
Monté sur le tissu dur d'époxyde-verre, fig. 1B RdethJA 125 K/W
Monté sur Al-oxid-en céramique (Al2O3), fig.1B RdethJA 100 K/W
La température de jonction   Tj 150 °C
Température ambiante de température de stockage   Tstg - 65 + à 150 °C
Tension en avant (maximum) IF = 0,2 A VF 1,2 V

 

DIMENSIONS de PAQUET dans les millimètres (pouces) : DO-214AC

Diodes Zener planaires de silicium de diodes Zener de diode de redresseur de BZG05C6V2TR

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
TLP759 24480 TOSHIBA 16+ SOP-8
TLP785GB 71000 TOSHIBA 16+ DIP-4
TLV2217-33KCSE3 14631 TI 11+ TO-220
TLV2373IDGSR 4914 TI 06+ MSOP-10
TLV2401CDBVR 8191 TI 15+ SOT23-5
TLV2464IPWR 3517 TI 11+ TSSOP-14
TLV2472AIDR 6435 TI 14+ SOP-8
TLV2771CDBVR 16946 TI 16+ SOT23-5
TLV2774IDR 6156 TI 10+ SOP-14
TLV5606CDGKR 6012 TI 06+ VSSOP-8
TLV5610IPWR 2618 TI 14+ TSSOP-20
TLV5610IPWR 2532 TI 11+ TSSOP-20
TLV62130RGTR 5398 TI 16+ QFN16
TLV70033DDCR 43000 TI 14+ SOT23-5
TLV70433DBVR 91000 TI 13+ SOT23-5
TM4C123FH6PMI 1543 TI 13+ LQFP-64
TM4C129ENCPDTI3R 2790 TI 13+ QFP128
TMD0507-2A 229 TOSHIBA 15+ SMD
TMP102AIDRLR 4371 TI 16+ SOT-563
TMP82C79P-2 3478 TOSHIBA 98+ DIP-40
TMPM374FWUG 3299 TOSHIBA 11+ LQFP-44
TMS27PC256-15NL 2483 TI 94+ DIP-24
TMS320F2810PBKA 1741 TI 16+ QFP
TMS320F2810PBKQ 1417 TI 12+ QFP128
TMS320F28335PGFA 1687 TI 16+ LQFP-176
TMS3705A1DR 3402 TI 15+ SOP-16
TMS3705ADR 2854 TI 15+ SOP-16
TN1215-600B-TR 3868 St 14+ TO-252
TN6Q04 17017 SANYO 14+ TO-220-5
TN80C188EB20 418 INTEL 05+ PLCC84

 

 

 

 

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