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COMMUTATEUR du transistor MOSFET PDP de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFP4229PBF

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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COMMUTATEUR du transistor MOSFET PDP de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFP4229PBF

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Numéro de type :IRFP4229PBF
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7600pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de Porte-à-source :±30 V
Courant pulsé de drain :180 A
Courant de pointe répétitif :87 A
Dissipation de puissance :310 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire :2,0 W/°C
La température de soudure pendant 10 secondes :°C 300
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IRFP4229PbF PDP SWITCH

Caractéristiques

• Technologie de processus avancée

• Paramètres clés optimisés pour les applications Sustain, Energy Recovery et Pass Switch de PDP Sustain

• Évaluation minimale de PULSE pour réduire la dissipation de puissance dans les applications PDP Sustain, Energy Recovery et Pass Switch

• Faible Q G pour une réponse rapide

• Capacité de courant maximal répétitif élevé pour un fonctionnement fiable

• Temps d'automne et de montée courts pour une commutation rapide

• 175 ° C Température de jonction de fonctionnement pour une robustesse accrue

• Capacité d'avalanche répétitive pour la robustesse et la fiabilité

La description

Ce MOSFET HEXFET® Power est spécialement conçu pour Sustain; Les applications de récupération d'énergie et de passage dans les panneaux d'affichage plasma. Ce MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance à la résistance et une faible valeur de E PULSE . Les caractéristiques supplémentaires de ce MOSFET sont la température de jonction de fonctionnement de 175 ° C et la haute capacité de courant de pointe répétitive. Ces fonctionnalités se combinent pour rendre ce MOSFET un appareil hautement efficace, robuste et fiable pour les applications de conduite PDP.

Évaluation maximale absolue

Paramètre Max. Unités
V GS Tension de la porte à la source ± 30 V
I D @ T C = 25 ° C Courant de vidange continu, V GS @ 10V 44 UNE
I D @ T C = 100 ° C Courant de vidange continu, V GS @ 10V 31 UNE
I DM Courant de vidange pulsé 180 UNE
I RP @ T C = 100 ° C Courant de pointe répétitif 87 UNE
P D @T C = 25 ° C Dissipation de puissance 310 W
P D @T C = 100 ° C Dissipation de puissance 150 W
Facteur de dénaturé linéaire 2.0 TOILETTES
T J , T STG Gamme de fonctionnement de la jonction et du stockage -40 à + 175 ° C
Température de soudure pendant 10 secondes 300 ° C
Couple de montage, vis 6-32 ou M3 10lbin (1.1Nm) N

Offre d'actions (vente à chaud)

Numéro de pièce Quantité Marque D / C Paquet
S29GL064N90TFI040 10324 SPANSION 14+ TSOP48
S34ML01G100TFI000 4773 SPANSION 14+ TSOP48
SST39VF1601-70-4I-EKE 5172 SST 11+ TSOP48
IS41LV16105-50TI 2018 ISSI 16+ TSOP44
R1LV0416DSB-7LI # SO 1688 RENESAS 16+ TSOP44
SST39VF040-70-4C-WHE 3668 SST 10+ TSOP32
TE28F256J3C125 701 INTEL 16+ TSOP
V58C2512164SDI5 5424 PROMOS 16+ TSOP
S29AL008J70TFI02 23156 SPANSION 14+ TSOP
S29GL128P10TFI010 668 SPANSION 16+ TSOP
S29GL256P90TFIR13 1022 SPANSION 11+ TSOP
SST39LF040-45-4C-WHE 12038 SST 08+ TSOP
SST39LF800A-55-4C-EK 11808 SST 05+ TSOP
WJLXT972ALC.A4 2291 INTEL 16+ TQFP64
UPD720114GA-9EU-A 6600 NEC 16+ TQFP48
TW2865 1265 INTERSIL 16+ TQFP128
SSD1963QL9 1817 SALOMON 13+ TQFP128
ISPLSI1032E-70LT 998 TREILLIS 04+ TQFP100
STM32F101VCT6 2198 ST 13+ TQFP100
STV0370-ES 1835 ST 16+ TQFP100
STV0288 2357 ST 10+ TQF64
QX5252F 24600 QX 16+ TO-94
UGN3503U 13536 ALLEGRO 16+ TO-92S
SS466A 8676 HONEYWELL 16+ TO-92S
TMP36GT9Z 6836 ADI 16+ TO-92
STB1277-Y 17500 PINGOUIN 16+ TO-92
S8050 75600 CJ 14+ TO-92
PN4392 16550 FSC 16+ TO-92
SS41A 10680 HONEYWELL 16+ TO-92
SS41F 7970 HONEYWELL 16+ TO-92

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