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AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO de haute fidélité du transistor 32W de transistor MOSFET de puissance de TDA2050V

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO de haute fidélité du transistor 32W de transistor MOSFET de puissance de TDA2050V

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Numéro de type :TDA2050V
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8900pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension d'alimentation :±25 V
Tension d'entrée :±25 V
Tension différentielle à l'entrée :±15 V
Courant de pointe de sortie (intérieurement limité) :5 A
Dissipation de puissance Tcase = 75°C :25 W
La température de stockage et de jonction :°C -40 à 150
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TDA2050

AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE 32W AUDIO de haute fidélité

 

• PUISSANCE À HAUTE PRODUCTION (RÈGLES du CEI 268,3 de PUISSANCE de MUSIQUE 50W) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO de haute fidélité du transistor 32W de transistor MOSFET de puissance de TDA2050V

• TENSION d'ALIMENTATION ÉLEVÉE d'OPÉRATION (50V)

• OPÉRATIONS SIMPLES OU MULTIPLES D'APPROVISIONNEMENT

• DÉFORMATION TRÈS BASSE

• PROTECTION DE COURT-CIRCUIT (À LA TERRE)

• ARRÊT THERMIQUE

 

DESCRIPTION

Le TDA 2050 est un circuit intégré monolithique en paquet de Pentawatt, destiné à l'utilisation comme amplificateur audio audio de la classe ab. Grâce à sa capacité de puissance élevée le TDA2050 peut fournir jusqu'à la puissance vraie de 35W RMS dans la charge de 4 ohms @ THD = 10%, CONTRE = ±18V, f = 1KHz et jusqu'à 32W dans la charge 8ohm @ THD = 10%, CONTRE = ±22V, f = 1KHz. D'ailleurs, le TDA 2050 fournit typiquement la puissance de la musique 50W dans la charge de 4 ohms plus de 1 sec à VS= 22.5V, f = 1KHz.

 

La déformation de puissance élevée et très bas d'harmonique et de croisement (THD = 0,05% dactylographient, @ CONTRE = ±22V, PO = 0,1 à 15W, RL=8ohm, f = 100Hz à 15KHz) rendent le dispositif le plus approprié aux téléviseurs de haute fidélité et de première qualité.

 

CAPACITÉS ABSOLUES

Symbole Paramètre Valeur Unité
VS Tension d'alimentation ±25 V
Vi Tension d'entrée VS  
Vi Tension différentielle à l'entrée ±15 V
IO Courant de pointe de sortie (intérieurement limité) 5 A
Doigtde P CAS de la dissipation de puissance T = 75°C 25 W
Tstg, Tj La température de stockage et de jonction -40 à 150 °C

 

ESSAI ET CIRCUIT D'APPLICATION

AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO de haute fidélité du transistor 32W de transistor MOSFET de puissance de TDA2050V

 

CONNEXION de PIN (vue supérieure)

AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO de haute fidélité du transistor 32W de transistor MOSFET de puissance de TDA2050V

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
SGL-0622Z 15818 RFMD 16+ QFN
SZM-2066Z 1235 RFMD 15+ QFN
SZM-2166Z 1238 RFMD 16+ QFN
SZM-3066Z 1316 RFMD 16+ QFN
RT8010PQW 12272 RICHTEK 10+ QFN
RT8015AGQW 17386 RICHTEK 16+ QFN
RT8121GQW 35732 RICHTEK 16+ QFN
RT8152DGQW 10040 RICHTEK 13+ QFN
RT8205LZQW 36016 RICHTEK 13+ QFN
RT8207GQW 7404 RICHTEK 16+ QFN
RT8237EZQW 10324 RICHTEK 14+ QFN
RT8561BGQW 6688 RICHTEK 10+ QFN
RT8857GQW 16764 RICHTEK 16+ QFN
RT8859MZQW 14748 RICHTEK 16+ QFN
RT9026GQW 18488 RICHTEK 15+ QFN
RTL8101E-GR 24744 RICNIEK 12+ QFN
SE2603L-R 10060 SIGE 12+ QFN
SI2173-A40-GM 2795 SILICIUM 10+ QFN
SI32260-C-FM1 2048 SILICIUM 16+ QFN
SI3239-C-FMR 8196 SILICIUM 16+ QFN
SI3239-E-ZM3 2798 SILICIUM 12+ QFN
SII5723CNU 1706 SILICIUM 14+ QFN
SI3402-A-GMR 2645 SILICONLA 15+ QFN
SI7005-B-GM1 1481 SILICONLA 16+ QFN
SM4108 1916 SILICONMI 14+ QFN
SIT9102AI-183N33E1 4426 SITIME 10+ QFN
SE2593A20-R 2540 SKYWORKS 14+ QFN
SKY13317-373LF 7300 SKYWORKS 15+ QFN
SKY77162 15679 SKYWORKS 16+ QFN
USB2514B-AEZC 8448 SMSC 16+ QFN

 

 

 

 

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