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Le P-canal 1.8V de FDN304PZ a spécifié le transistor MOSFET de puissance de commutation de transistor MOSFET de PowerTrench

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Le P-canal 1.8V de FDN304PZ a spécifié le transistor MOSFET de puissance de commutation de transistor MOSFET de PowerTrench

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Numéro de type :FDN304PZ
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
tension de Drain-source :– 20 V
Tension de Porte-Source :±8 V
Opération et température ambiante de jonction de stockage :– °C 55 à +150
Identification :– 2,4 A
Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 1a) :250 °C/W
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– Transistor MOSFET pulsé de puissance de commutation de transistor MOSFET de PowerTrench spécifique par 1.8V de P-canal de FDN304PZ

 

Le P-canal 1.8V de FDN304PZ a spécifié le transistor MOSFET de puissance de commutation de transistor MOSFET de PowerTrenchCaractéristiques ·

► – 2,4 A, – 20 V. le RDS (DESSUS) = 52 mW @ VGS = – 4,5 V le RDS (DESSUS) = 70 mW @ VGS = – 2,5 V le RDS (DESSUS) = 100 mW @ VGS = – 1,8 V

Vitesse de commutation rapide de ►

Diode de protection d'ESD de ►

Technologie de fossé de haute performance de ► pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)

Le ► SuperSOTTM -3 fournit le bas RDS (DESSUS) et une puissance plus élevée de 30% manipulant la capacité que SOT23 dans la même empreinte de pas

 

Applications

gestion de ►Battery

commutateur de ►Load

Protection de batterie de ►

 

Description générale

Ce P-canal 1.8V a spécifié le processus avancé de PowerTrench de la basse tension de Fairchild d'utilisations de transistor MOSFET. Il a été optimisé pour des applications de gestion de puissance de batterie.

 

Capacités absolues

Symbole  Paramètre  Estimations  Unités
VDSS Tension de Drain-source – 20 V
VGSS Tension de Porte-source ±8 V
Identification

Vidangez le courant

 – Continu

– Pulsé
 

 

– 2,4

-10


 

A
TJ, TSTG Opération et température ambiante de jonction de stockage  – 55 à +150 °C

 

 

 

Le P-canal 1.8V de FDN304PZ a spécifié le transistor MOSFET de puissance de commutation de transistor MOSFET de PowerTrench

 

 

 

BULLETIN DE LA COTE

SN74HC541DWR 17384 TI 04+ SOP-20
SN74HC573ADWR 9626 TI 16+ SOP-20
SN74HC574DWR 7826 TI 15+ SOP-20
SN74HC574N 9824 TI 16+ SOP-20
SN74HC688DWR 10664 TI 04+ SOP-20
SN74HCT244DWR 10886 TI 13+ SOP-20
SN74HCT244N 8014 TI 16+ SOP-20
SN74HCT373DWR 10000 TI 13+ SOP-20
SN74HCT374DWR 13676 TI 13+ SOP-20
SN74LS244DWR 16044 TI 16+ SOP-20
SN74LS244N 10704 TI 16+ SOP-20
SN74LS245DWR 16022 TI 16+ SOP-20
SN74LS541DWR 18740 TI 15+ SOP-20
SN74LVC244ADWR 18374 TI 08+ SOP-20
SN74LVTH273DWR 8780 TI 03+ SOP-20
SN75185DBR 11120 TI 15+ SOP-20
SN75185DWR 10958 TI 16+ SOP-20
SN75C1154N 2405 TI 04+ SOP-20
TCM129C13ADW 6368 TI 10+ SOP-20
TLC2543C 4210 TI 13+ SOP-20
TLC2543CDWR 1631 TI 14+ SOP-20
TLC2543IDWR 1253 TI 13+ SOP-20
TLC7528CDWR 12984 TI 15+ SOP-20
TPIC0107B 1934 TI 15+ SOP-20
TPIC6273DWR 2579 TI 16+ SOP-20
TPIC6B273DWR 5916 TI 14+ SOP-20
TPIC6B595DWR 7220 TI 15+ SOP-20
TPIC6B596DWR 48228 TI 16+ SOP-20
TPIC8101DWR 2093 TI 08+ SOP-20
UCC2895DWTR 1985 TI 10+ SOP-20
UCC3895DWTRG4 6490 TI 13+ SOP-20
TA8428F 2906 TOSHIBA 16+ SOP-20
TA8428FG 21132 TOSHIBA 13+ SOP-20
TDA1519C 2447 UTC 16+ SOP-20
W681360SG 22329 WINBOND 06+ SOP-20
ULN2803ADWR 15846 TI 14+ SOP-18
TD62083AFG 22748 TOSHIBA 13+ SOP-18
TD62084F 1936 TOSHIBA 14+ SOP-18
TD62783AFG 4164 TOSHIBA 15+ SOP-18
ULN2804AFWG 2788 TOSHIBA 14+ SOP-18
VIPER27HDTR 5412 St 16+ SOP-16
VIPER27LDTR 13976 St 16+ SOP-16
SYN470R 12414 SYNOXO 16+ SOP-16

 

 

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