Le circuit intégré électronique de TLP155E ébrèche des photocoupleurs GaA en tant que LED et photo infrarouges IC

Photocoupleurs GaAℓAs LED infrarouge et photo IC TLP155

Applications

• Panneaux d'écran plasma (PDPs)

• Inverseurs de transistor

• Conducteurs de porte de transistor MOSFET

• Conducteurs de porte d'IGBT

Généralités

Toshiba TLP155 se compose des diodes électroluminescentes infrarouges d'un GaAℓAs et des détecteurs photoélectriques à gain élevé et ultra-rapides intégrés. Le TLP155 est logé dans le paquet SO6. Le détecteur photoélectrique a un bouclier interne de Faraday qui fournit une immunité passagère garantie de Commun-mode de ±20 kV/µ. TLP155 convient au circuit direct d'entraînement de porte pour IGBTs ou transistors MOSFET de puissance.

Caractéristiques

(1) type de logique de tampon (poteau de totem produit)

(2) type de paquet : SO6

(3) courant de pointe produit : ±0.6 A (maximum)

(4) température de fonctionnement : -40 à 100℃

(5) courant d'entrée de seuil : 7,5 mA (de maximum)

(6) temps de retard de propagation : tpHL/tpLH = 200 NS (maximum)

(7) immunité passagère de Commun-mode : ±20 kV/µs (minute)

(8) biais de retard de propagation : ±85 NS (maximum)

(9) tension d'isolement : 3750 Vrms (minute)

Emballage et tâche de Pin

Circuit interne (note)

Capacités absolues (note) (sauf indication contraire, merci = 25℃)

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.

Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (« manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et les méthodes ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Note 1 : Μs du ≤ 1 de (PW) de durée d'impulsion, 300 PPS

Note 2 : Forme d'onde exponentielle. Μs du ≤ 2 de durée d'impulsion, ≤ de f 10 kilohertz, VCC = 20V, merci = -40 à 100℃

Note 3 : Ce dispositif est considéré comme dispositif de deux-terminal : Les bornes 1 et 3 sont court-circuitées ensemble, et les bornes 4, 5 et 6 sont court-circuitées ensemble.

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