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Transistor à effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor de transistor MOSFET de la puissance AO4620

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Transistor à effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor de transistor MOSFET de la puissance AO4620

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Numéro de type :AO4620
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8000pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
tension de Drain-source :30 / -30 V
Tension de Porte-Source :±20 V
Courant pulsé de drain :30 / -30 A
Courant d'avalanche :13 / 17 A
Énergie répétitive 0.3mH d'avalanche :25 / 43 MJ
Jonction et température de stockage :-55 à 150°C
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Transistor à effet de champ complémentaire de mode de l'amélioration AO4620

 

Description générale

Les utilisations AO4620 avancées trench des transistors MOSFET de technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte. Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés dans l'inverseur et d'autres applications. Le produit standard AO4620 est sans Pb (rencontre ROHS et Sony 259 caractéristiques).

 

Caractéristiques

   p-canal de n-canal

VDS (v) = 30V -30V

ID = 7.2A (VGS =10V) -5.3A (VGS = -10V)

RDS(DESSUS) RDS(DESSUS)

< 24m="">GS=10V)< 38m=""> GS = -10V)

< 36m="">GS=4.5V) < 60m="">GS = -4.5V)

 

Transistor à effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor de transistor MOSFET de la puissance AO4620

 

Capacités absolues TA =25°C sauf indication contraire

Paramètre Symbole N-canal maximum P-canal maximum Unités
Tension de Drain-source VDS 30 -30 V
Tension de Porte-source VGS ±20 ±20 V
Drain continu F actuel TA =25°C ID 7,2 -5,3 A
TA =70°C 6,2 -4,5 A
Drain pulsé B actuel IDM 30 -30 A
Dissipation de puissance F TA =25°C PD 2 2 W
TA =70°C 1,44 1,44 W
Avalanche B actuel IL'AR 13 17 A
Énergie répétitive 0.3mH B d'avalanche EAR 25 43 MJ
Température ambiante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG -55 à 150 -55 à 150 °C

B : Estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par la température de jonction.

La dissipation de puissance de F.The et l'estimation actuelle sont basées sur l'estimation de résistance thermique du ≤ 10s de t.

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
AD9254BCPZ-150 1500 ANNONCE 16+ QFN
ADE-10H 1500 MINI 16+ SOP6
CNY74-4 1500 FSC 13+ DIP16
CY2305SXC-1HT 1500 CYPRESS 15+ SOP8
IRFP23N50L 1500 IR 16+ TO-3P
L7824 1500 St 16+ TO-220
LFCN-530+ 1500 MINI-CIRC 14+ SMD
LNK304PN 1500 PUISSANCE 14+ DIP-7
LPS6235-104MLC 1500 COILCRAFT 14+ SMD
LT1248CN 1500 LT 16+ IMMERSION
MB15E07SLPFV1 1500 FUJITSU 16+ TSSOP
SN74HC165DR 1500 TI 13+ CONCESSION
V30200C-E3/4W 1500 VISHAY 15+ TO-220
PC733 1501 POINTU 16+ IMMERSION
HCPL-0466-500E 1517 AVAGO 16+ SOP-8
BDW47 1520 SUR 14+ TO-220
STF13NK50Z 1520 St 14+ TO-220
M51995AP 1522 MIT 14+ IMMERSION
XC3S1600E-4FGG320C 522 XILINX 16+ BGA
RC4558P 1528 TI 16+ DIP8
ADA4528-2ARM 1550 L'ADI 13+ MSOP8
PIC16F648A-I/P 1555 PUCE 15+ IMMERSION
TLP2531 1558 TOSHIBA 16+ SOP8
IRFP150N 1577 IR 16+ TO-247
IR2520DPBF 1580 IR 14+ DIP-8
EP3C10F256C8N 1588 ALTERA 14+ BGA
IRFPC60 1588 IR 14+ TO-247
LM2917N-8 1588 NS 16+ DIP8
TDA7851L 1633 St 16+ ZIP25
NCP1203D60R2 1665 SUR 13+ SOP-8

 

 

 

 

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