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Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2

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Numéro de type :IXFN38N100Q2
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :6000pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
VDSS :1000 V
VDGR :1000 V
VGS :±30 V
VGSM :±40 V
Palladium :890 W
Poids :30 g
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IXFN38N100Q2

HiPerFETTM actionnent le transistor MOSFET

 

L'avalanche de mode d'amélioration de N-canal a évalué, bas Qg, la basse qualité intrinsèque Rg haut dV/dt, bas trr

 

VSAD = 1000 V

ID25 = 38 A

RDS(dessus) = 0,25 Ω

≤ 300 NS de trr

 

Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2           Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2

 

Caractéristiques

• Double processus en métal pour la basse résistance de porte

• miniBLOC, avec l'isolement de nitrure en aluminium

• (UIS) de changement inductif Unclamped a évalué

• Basse inductance de paquet

• Redresseur intrinsèque rapide

 

Applications

• Convertisseurs de DC-DC

• alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode

• Couperets de C.C

• Générateurs d'impulsion

 

Avantages

• Facile à monter

• L'épargne d'espace

• Densité de puissance élevée

 

Estimations maximum

Symbole Conditions d'essai MAXIMUM. UNITÉ
VSAD TJ = 25°C à 150°C 1000 V
VDGR TJ = 25°C à 150°C ; RGS = 1 MΩ 1000 V
VGS Continu ±30 V
VGSM Passager ±40 V
ID25 TC = 25°C 38 A
IDM TC = 25°C, durée d'impulsion limitée par TJM 152 A
IL'AR TC = 25°C 38 A
EAR TC = 25°C 60 MJ
EAS TC = 25°C 5,0 J
dv/dt

I ≤ IDM, ≤ 100 A/µs, ≤ VSADdeS de di/dt dedensité doublede V

≤ 150°C, R de TJG = Ω 2

20 V/ns
PD TC = 25°C 890 W
TJ   -55… +150 °C
TJM   150 °C
Stgde T   -55… +150 °C
VISOLANT 50/60 hertz, RMS, t = 1 minute 2500 V
Md

Couple de support

Couple de connexion terminale

1.5/13

1.5/13

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
SN74HC00DR 4211 TI 15+ SOP14
NDS9956A 4215 FAIRCHILD 16+ SOP8
MC33202DR2G 4227 SUR 16+ SOP8
ICE2B265 4250   14+ DIP-8
SS32-E3/57T 4250 VISHAY 14+ DO214
SI3867 4258 VISHAY 14+ SOT-163
APM4953 4275 APM 16+ SOP8
LM1117MPX-5.0 4288 NS 16+ SOT223
3224W-1-103E 4300 BOURNS 13+ SMD
TNY276GN 4300 PUISSANCE 15+ SOP-7
MIC5235-1.8YM5 4300 MICREL 16+ SOT23-5
HCF4052BEY 4399 St 16+ IMMERSION
M82C51A-2 4400 OKI 14+ IMMERSION
MUR1620CTRG 4400 SUR 14+ TO-220
IRF7329 4412 IR 14+ SOP-8
HSMP-3816 4433 AVAGO 16+ SOT153
SMDJ54CA 4440 LITTELFUS 16+ SMD
GP1A51HR 4444 POINTU 13+ DIP-4
P2804BDG 4444 NIKO 15+ TO252
AP9962GH 4450 AP 16+ TO-252
AD1955ARSZ 4457 ANNONCE 16+ SSOP-28
AMS1083CT-3.3 4470 L'AMS 14+ TO-220
1N4747A 4500 St 14+ DO-41
FDB8447L 4500 FSC 14+ TO-263
INA118P 4500 TI 16+ DIP-8
IRFR9024NTRPBF 4500 IR 16+ TO-252
NL17SZ06 4500 SUR 13+ SOT553
Q6040K7 4500 LITTELFUS 15+ TO-3P
STM8324 4500 SAMHOP 16+ SOP8
TDA2050 4500 St 16+ FERMETURE ÉCLAIR

 

 

 

 

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