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Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET wholesale
  • China Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET wholesale

Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET
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Numéro de type :TPC8111
Point d'origine :Taiwan
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :580pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
VDSS :−30 V
VDGR :−30 V
VGSS :±20 V
Identification :−11 A
Palladium :1,9 W
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Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET

Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFETApplications de batterie d'ion de lithium

Applications de PC de carnet

Applications portatives d'équipement

 

 

 

• Petite empreinte de pas due au petit et mince paquet

• Basse drain-source SUR la résistance : MΩ 8,1 du RDS (DESSUS) = (type.)

• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 23 S (type.)

• Bas courant de fuite : ΜA IDSS = −10 (maximum) (VDS = −30 V)

• Amélioration-mode : Vth = −0.8 à −2.0 V (VDS = −10 V, identification = −1 mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note : Pour (note 1), (note 2), (note 3) et (la note 4), se rapportent svp à la prochaine page. Ce transistor est un dispositif sensible électrostatique. Manipulez svp avec prudence

 

 

 

 

Estimations maximum (merci = 25°C)

Caractéristiques  Symbole Évaluation  Unité
tension de Drain-source  VDSS  −30 V
tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20)  VDGR  −30 V
tension de Porte-source  VGSS  ±20  V
Vidangez la dissipation de puissance (t = 10 s) Palladium  1,9  W
Vidangez la dissipation de puissance (t = 10 s) Palladium  1,0   W
Choisissez l'énergie d'avalanche d'impulsion EAS  31,5  MJ
Courant d'avalanche  IAR  −11 A
Énergie répétitive d'avalanche OREILLE 0,19 MJ
La température de la Manche  Tch  150 °C

 

 

Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET

 

 

BULLETIN DE LA COTE 

HMHAA280R1 1520 FAIRCHILD 16+ SOP-4
LQH55PN100MROL 6782 MURATA 16+ SMD
MSS1260-683MLD 6890 COILCRAFT 16+ SMD
TSL1112RA-102JR50-PF 10000 TDK 14+ IMMERSION
MJE340G 10000 SUR 16+ TO-126
BD139-16 5500 St 16+ TO-126
BD140-16 5500 St 15+ TO-126
2SC2625 3000 FUJI 15+ TO-3P
TR600-150 38000 TYCO 16+ IMMERSION
A1324LUA-T 3420 ALLÉGRO 15+ SIP-3
LVR040K 38000 RAYCHEM/T 16+ IMMERSION
LVR025S 38000 RAYCHEM/T 16+ IMMERSION
MF-R010 38000 BOURNS 16+ IMMERSION
MF-R017 25000 BOURNS 16+ IMMERSION
BFR96TS 5000 VISHAY 15+ TO-50
M28S 20000 UTC 10+ TO-92
MF-R040 40000 BOURNS 14+ IMMERSION
LVR040S 38000 RAYCHEM/T 16+ IMMERSION
LVR075S 5063 RAYCHEM/T 16+ IMMERSION
MF-R600 10000 BOURNS 16+ IMMERSION
MF-R090 38000 BOURNS 16+ IMMERSION
PKM13EPYH4000-AO 5000 NURATA 10+ IMMERSION
DE1E3KX102MJ5BA01 900 MURATA 15+ IMMERSION
LVR012 38000 TYCO 16+ IMMERSION
CS1024 3750 ZX 15+ TO-92S
20D151K 3000 ZOV 16+ IMMERSION
LPD6803S 30000 LPD 15+ SOP-16
MICROSMD005F-2 25000 TYCO 16+ SMD
BLM21BD601SN1D 8000 MURATA 15+ SMD
BLM21AG01SN1D 8000 MURATA 15+ SMD
AT24C02D-SSHM-T 4000 ATMEL 15+ SOP-8
VESD05A1B-02Z-GS08 40000 VISHAY 15+ SOD-923
AT24C02BN-SH-T 4000 ATMEL 15+ SOP-8
MICROSMD050F-2 25000 TYCO 16+ SMD
NDT2955 16800 FAIRCHILD 14+ SOT-223
AY1112H-TR 8000 STANLEY 09+ SMD
NFM3DCC223R1H3L9 38000 MURATA 16+ SMD
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