DISPOSITIF ANTIPARASITE PASSAGER de TENSION de la diode de redresseur de SMBG15A-E3/52T TRANSZORB

SMBG ET SMBJ5.0 PAR 170CA

DISPOSITIF ANTIPARASITE PASSAGER EXTÉRIEUR DE TENSION DU BÂTI TRANSZORB™

Tension d'impasse - 5,0 à 170 volts

Puissance de crête des impulsions - 600 watts

CARACTÉRISTIQUES

Le paquet en plastique de ♦ a la classification 94V-0 d'inflammabilité de laboratoire de garants

Le ♦ pour la surface a monté des applications afin d'optimiser l'espace de conseil

Paquet de profil bas de ♦

Passe-fils intégré de ♦

Jonction passivée par verre de ♦

Basse résistance par accroissement de montée subite de ♦

capacité de puissance de crête des impulsions du ♦ 600W avec une forme d'onde 10/1000µs, taux de répétition (coefficient d'utilisation) : 0,01%

Excellente capacité de fixage de ♦

Temps de réponse rapide de ♦ : typiquement moins que 1.0ps de 0 volts à V_(BR) pour unidirectionnel et 5.0ns pour les types bidirectionnels

Le ♦ pour des dispositifs avec V_(BR) ≥10V, I_D sont typiquement moins que 1.0µA

Soudure de haute température de ♦ garantie : secondes 250°C/10 sur des terminaux

DONNÉES MÉCANIQUES

Cas : JEDEC DO214AA/corps en plastique moulé par DO215AA au-dessus de jonction passivée

Terminaux : Soudure plaquée, solderable par MIL-STD-750, méthode 2026

Polarité : Pour les types unidirectionnels la bande de couleur dénote la cathode, qui est postitive en ce qui concerne l'anode sous l'opération normale de TV

Position de montage : Quels

Poids : 0,003 onces, 0,093 grammes

DISPOSITIFS POUR DES APPLICATIONS BIDIRECTIONNELLES

Pour le suffixe bidirectionnel C ou CA d'utilisation pour les types SMB-5.0 par SMB-170 (par exemple SMBG5.0C, SMBJ170CA). Les caractéristiques électriques s'appliquent dans les deux directions

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Estimations à la température ambiante 25°C sauf indication contraire.

NOTES :

(1) impulsion actuelle non répétitive, par Fig.3 et sous-sollicité au-dessus de TA=25°C par fig. 2

(2) monté sur 0,2 x 0,2" (5,0 x 5.0mm) protections d'en cuivre à chaque terminal

(3) mesuré sur 8.3ms choisissez la demi sinus-vague. Pour les dispositifs unidirectionnels seulement.

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