Mémoire instantanée périodique page-effaçable de M25PE80-VMN6P 8-Mbit avec l'autobus de mégahertz SPI de l'altérabilité 75 d'octet

M25PE80-VMN6P 8-Mbit, mémoire instantanée périodique page-effaçable avec l'altérabilité d'octet, autobus de 75 mégahertz SPI, pinout standard

Caractéristiques

Interface série compatible d'autobus de SPI

mémoire 8-Mbit instantanée page-effaçable

Taille de la page : 256 octets – la page écrivez dans Mme 11 (typique) – paginent le programme dans 0,8 Mme (typiques) – paginent l'effacement dans Mme 10 (typique)

Effacement de sous-secteur (4 K bytes)

Effacement de secteur (64 K bytes)

Effacement en vrac (8 Mbits)

2,7 V à 3,6 V choisissent la tension d'alimentation

Fréquence de base de 75 mégahertz (maximum)

ΜA profond du mode 1 de puissance-vers le bas (typique)

Signature électronique – signature à deux bits standard de JEDEC (8014h) – code d'identification Unique (UID) avec 16 octets d'inaltérable, disponible sur requête de client seulement dans le processus de T9HX

Le logiciel écrivent la protection sur une base du secteur 64-Kbyte

Le matériel écrivent la protection de la zone de mémoire choisie utilisant le peu BP0, BP1 et BP2

Plus de 100 000 écrivent des cycles

Plus de 20 ans de conservation de données

Paquets – ECOPACK® (RoHS conforme)

Description

Le M25PE80 est un 8-Mbit (1 publication périodique de mi-bande ×8) a paginé la mémoire instantanée accédée en un autobus SPI-compatible à grande vitesse. La mémoire peut être écrite ou les 1 à 256 octets programmés à la fois, utilisant la page écrivez ou paginez l'instruction de programme. La page écrivent l'instruction se compose d'un cycle intégré d'effacement de page suivi d'un cycle de programme de page. La mémoire est organisée en tant que 16 secteurs qui sont encore divisés en 16 sous-secteurs chacun (256 sous-secteurs au total). Chaque secteur contient 256 pages et chaque sous-secteur contient 16 pages. Chaque page est l'octet 256 de large. Ainsi, la mémoire entière peut être regardée en tant que se composer de 4096 pages, ou 1 048 576 octets. La mémoire peut être effacée une page à la fois, utilisant l'instruction d'effacement de page, un sous-secteur à la fois, utilisant l'instruction d'effacement de sous-secteur, un secteur à la fois, utilisant l'instruction d'effacement de secteur, ou dans son ensemble, utilisant l'instruction en vrac d'effacement. La mémoire peut être protégée en écriture par le matériel ou le logiciel utilisant un mélange des caractéristiques de protection volatiles et non-volatiles, selon les besoins d'application. La granularité de protection est de 64 K bytes (granularité de secteur).

Note importante

Cette fiche technique détaille la fonctionnalité des dispositifs M25PE80, basée sur le processus précédent de T7Y ou basée sur le processus actuel de T9HX (disponible depuis juin 2007). La livraison des pièces fonctionnant avec une fréquence de base maximum de 75 mégahertz commence à partir de la semaine 8 de 2008.

Quels sont les changements ?

Le M25PE80 dans le processus de T9HX offre les caractéristiques supplémentaires suivantes :

la rangée entière de mémoire est divisée dans les sous-secteurs 4-Kbyte

 deux nouvelles instructions : écrivez le registre de statut (WRSR) et l'effacement du sous-secteur 4-Kbyte (SSE)

Registre de statut : 4 bits peuvent être écrits (BP0, BP1, BP2, SRWD)

Entrée de wp (borne 3) : écrivez les limites de protection est prolongé, selon la valeur du BP0, BP1, BP2, peu de SRWD. Les wp écrivent la protection restent les mêmes si le peu (BP2, BP1, BP0) est placé à (0, 0, 1)

 plus petit meurent la taille permettant l'assemblée dans un paquet de SO8N.

Caractéristique supprimée :

La protection d'inscription (définie peu par de plan horizontal et de LD serrure) des sous-secteurs 4-Kbyte dans les secteurs de dessus et de bas n'est plus offerte. Pour plus de détails veuillez se rapportent à PCNMPG062148.

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