Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Membre du site
10 Ans
Accueil / produits / Rectifier Diode /

Barrière de Schottky de bâti de surface de diode de redresseur de SS32-E3-57T nouvelle et originale

Contacter
Anterwell Technology Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
Contacter

Barrière de Schottky de bâti de surface de diode de redresseur de SS32-E3-57T nouvelle et originale

Demander le dernier prix
Numéro de type :SS32-E3-57T
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :15000pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
VRRM :20V
IFSM :100A
EAS :20mJ
TJ :- 55 à + 125°C
Tstg :- 55 à + 150°C
SI (POIDS DU COMMERCE) :3.0A
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

SS32-E3-57T
Redresseur extérieur de barrière de Schottky de bâti
 

Barrière de Schottky de bâti de surface de diode de redresseur de SS32-E3-57T nouvelle et originale

CARACTÉRISTIQUES

• Paquet de profil bas
• Idéal pour le placement automatisé
• Guardring pour la protection de surtension
• Pertes de puissance faible, rendement élevé
• Basse chute de tension en avant
• Capacité de crête élevée
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020,
Crête maximum de LF du °C 260
• AEC-Q101 qualifié

 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
PARAMÈTRE SYMBOLE UNITÉ
Code de repérage de dispositif   S2V
Tension inverse maximale répétitive maximum VRRM 20V
Tension maximum de RMS VRMS 14V
Tension de blocage de C.C de maximum Volts continu 20V
Courant en avant rectifié moyen maximum à TL (fig. 1) SI (POIDS DU COMMERCE) 3.0A
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi superposée à la charge évaluée IFSM 100A
Énergie non répétitive d'avalanche aux VENTRES = 25 °C, IAS = 2,0 A, L = 10 MH EAS 20mJ
Taux de tension du changement (VR évalués) dV/dt 10 000 V/µs
Température ambiante fonctionnante de jonction TJ - 55 à + 125°C
Température ambiante de température de stockage TSTG - 55 à + 150°C

 

 Barrière de Schottky de bâti de surface de diode de redresseur de SS32-E3-57T nouvelle et originale
Barrière de Schottky de bâti de surface de diode de redresseur de SS32-E3-57T nouvelle et originale

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
EP3C10E144C8N 4210 ALTERA 14+ TQFP
TLP161G 4210 TOSHIBA 16+ SOP4
GP1A52HRJ00F 4211 POINTU 16+ IMMERSION
HCF4556BE 4211 STM 13+ DIP-16
SN74HC00DR 4211 TI 15+ SOP14
NDS9956A 4215 FAIRCHILD 16+ SOP8
MC33202DR2G 4227 SUR 16+ SOP8
ICE2B265 4250   14+ DIP-8
SS32-E3/57T 4250 VISHAY 14+ DO214
SI3867 4258 VISHAY 14+ SOT-163
APM4953 4275 APM 16+ SOP8
LM1117MPX-5.0 4288 NS 16+ SOT223
3224W-1-103E 4300 BOURNS 13+ SMD
TNY276GN 4300 PUISSANCE 15+ SOP-7
MIC5235-1.8YM5 4300 MICREL 16+ SOT23-5
HCF4052BEY 4399 St 16+ IMMERSION
M82C51A-2 4400 OKI 14+ IMMERSION
MUR1620CTRG 4400 SUR 14+ TO-220
IRF7329 4412 IR 14+ SOP-8
HSMP-3816 4433 AVAGO 16+ SOT153
SMDJ54CA 4440 LITTELFUS 16+ SMD
GP1A51HR 4444 POINTU 13+ DIP-4
P2804BDG 4444 NIKO 15+ TO252
AP9962GH 4450 AP 16+ TO-252
AD1955ARSZ 4457 ANNONCE 16+ SSOP-28
AMS1083CT-3.3 4470 L'AMS 14+ TO-220
1N4747A 4500 St 14+ DO-41
FDB8447L 4500 FSC 14+ TO-263
INA118P 4500 TI 16+ DIP-8
IRFR9024NTRPBF 4500 IR 16+ TO-252

 

 

 

 

Inquiry Cart 0