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Double amplificateur opérationnel de LMC662 CMOS
Description générale
Le double amplificateur opérationnel de LMC662 CMOS est idéal pour l'opération d'un approvisionnement simple. Il fonctionne à partir de +5V à +15V et d'oscillation de sortie de rail-à-rail de caractéristiques en plus d'une gamme de commun-mode d'entrée qui inclut la terre. Les limitations de représentation qui ont infesté des amplificateurs de CMOS dans le passé ne sont pas un problème avec cette conception. Entrez VOS, dérive, et le gain à bande large de bruit aussi bien que de tension dans les charges réalistes (kΩ 2 et 600Ω) sont tout égal à ou équivalents bipolaires meilleur que largement admis.
Cette puce est construite avec processus avancé de la Silicium-porte CMOS du ressortissant le Double-poly. Voyez la fiche technique LMC660 pour un amplificateur opérationnel du quadruple CMOS avec ces mêmes configurations.
Caractéristiques
Applications
Capacités absolues (note 3)
Si les militaires/espace spécifiaient des dispositifs sont exigés, entrent en contact avec svp les distributeurs nationaux de bureau de vente de semi-conducteur pour la disponibilité et les caractéristiques.
Tension de tension différentielle à l'entrée ±Supply
Tension d'alimentation (− de V + de − V) 16V
Court-circuit de sortie à V + (note 12)
Court-circuit de sortie au − de V (note 1)
La température d'avance (soudure, sec 10.) 260˚C
Temp de stockage. Gamme −65˚C à +150˚C
La tension à l'entrée-sortie goupille (V +) +0.3V, (− de V) −0.3V
Courant à Pin ±18 mA de sortie
Courant à Pin ±5 mA d'entrée
Courant à la borne d'alimentation d'énergie 35 mA
Dissipation de puissance (note 2)
La température de jonction 150˚C
Tolérance d'ESD (note 8) 1000V
Estimations fonctionnantes (note 3)
Température ambiante
LMC662AMJ/883, ≤ +125˚C du ≤ TJ de LMC662AMD −55˚C
≤ +85˚C du ≤ TJ de LMC662AI −40˚C
≤ +70˚C du ≤ TJ de LMC662C 0˚C
≤ +125˚C du ≤ TJ de LMC662E −40˚C
Chaîne 4.75V de tension d'alimentation à 15.5V
Dissipation de puissance (note 10)
Résistance thermique (θJA) (note 11)
8-Pin IMMERSION en céramique 100˚C/W
IMMERSION moulée par 8-Pin 101˚C/W
8-Pin AINSI 165˚C/W
8-Pin IMMERSION en céramique soudée latérale 100˚C/W
Note 1 : S'applique au simple-approvisionnement et à l'opération de fente-approvisionnement. L'opération continue de court-circuit à la température ambiante élevée et/ou les shorts op multiples d'ampère peuvent avoir en dépassant la température de jonction laissée par maximum des courants de sortie 150˚C. au-dessus de ±30 mA au-dessus du long terme peuvent compromettre la fiabilité.
Note 2 : La dissipation de puissance maximum est une fonction de TJ (maximum), de θJA, et MERCI. La dissipation de puissance maximale permise à n'importe quelle température ambiante est palladium = (TJ (maximum) – MERCI)/θJA.
Note 3 : Les capacités absolues indiquent les limites au delà dont les dommages au dispositif peuvent se produire. Les estimations de fonctionnement indiquent les conditions pour lesquelles le dispositif est prévu pour être fonctionnel, mais ne garantissent pas des limites de représentation spécifique. Avec des caractéristiques et des conditions d'essai garanties, voyez les caractéristiques électriques. Les caractéristiques garanties s'appliquent seulement pour les conditions d'essai énumérées.
Note 4 : Les valeurs typiques représentent la norme paramétrique le plus susceptible. Des limites sont garanties par l'essai ou la corrélation.
Note 5 : V+ = 15V, vcm = 7.5V et RL se sont reliés à 7.5V. Pour l'approvisionnement examine, le ≤ 11.5V de Vo du ≤ 7.5V. Pour les essais de descente, ≤ 7.5V de Vo du ≤ 2.5V.
Note 6 : V+ = 15V. Relié comme disciple de tension à l'entrée d'étape 10V. Le nombre spécifique est le plus lent des taux de groupe positifs et négatifs.
Note 7 : Entrée référée. V+ = 15V et RL = kΩ 10 relié à V+/2. Chaque ampère excité consécutivement avec 1 kilohertz pour produire Vo = 13 VPP.
Note 8 : Modèle de corps humain, kΩ 1,5 en série avec 100 PF.
Note 9 : Des militaires ROUISSENT des spécifications d'essai électriques sont disponibles sur demande. À l'heure de l'impression, le LMC662AMJ/883 ROUIT Spéc. s'est conformé entièrement aux limites en caractères gras dans cette colonne. Le LMC662AMJ/883 peut également être obtenu selon des spécifications militaires standard de dessin.
Note 10 : Pour fonctionner aux températures élevées que le dispositif doit être sous-sollicité a basé sur le θJA de résistance thermique avec palladium = (TJ-TA)/θJA.
Note 11 : Tous les nombres s'appliquent pour des paquets soudés directement dans une carte de circuit imprimé.
Note 12 : Ne reliez pas la sortie à V+ quand V+ est plus grand que 13V ou la fiabilité peut être compromise
Diagramme de connexion
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
SPD04N80C3 | 7988 | INFINEON | 16+ | TO-252 |
SPD06N80C3 | 15142 | INFINEON | 14+ | TO-252 |
SPD18P06PG | 12458 | INFINEON | 10+ | TO-252 |
TLE42754D | 7816 | INFINEON | 14+ | TO-252 |
RJP30H1 | 9188 | RENESAS | 16+ | TO-252 |
PQ12TZ51 | 8596 | POINTU | 16+ | TO-252 |
PQ20VZ51 | 8380 | POINTU | 14+ | TO-252 |
SM3119NSUC-TRG | 11116 | SINOPOWER | 14+ | TO-252 |
STD12NF06LT4 | 8146 | St | 08+ | TO-252 |
STD16NF06LT4 | 9324 | St | 12+ | TO-252 |
STD30NF06LT4 | 12326 | St | 16+ | TO-252 |
STD3NK90ZT4 | 13616 | St | 11+ | TO-252 |
STD3NM60T4 | 8294 | St | 16+ | TO-252 |
STD4NK60ZT4 | 12568 | St | 14+ | TO-252 |
STD60NF55LT4 | 6560 | St | 06+ | TO-252 |
STD85N3LH5 | 8330 | St | 10+ | TO-252 |
STGD6NC60HDT4 | 40844 | St | 15+ | TO-252 |
STU2030PLS | 10724 | St | 16+ | TO-252 |
T40560 | 4708 | St | 16+ | TO-252 |
T405-600B | 16904 | St | 16+ | TO-252 |
T410-600B | 16176 | St | 16+ | TO-252 |
T435-600B-TR | 12368 | St | 16+ | TO-252 |
T810-600B | 21520 | St | 14+ | TO-252 |
TIP122CDT | 8850 | St | 16+ | TO-252 |
PQ05SZ11 | 8812 | POINTU | 16+ | TO-252 |
SM3119NSUC-TRG | 11094 | SINOPOWER | 13+ | TO-252 |
STD1NK80ZT4 | 11050 | St | 16+ | TO-252 |
STD4NK80ZT4 | 8312 | St | 16+ | TO-252 |
STGD5NB120SZT4 | 11498 | St | 10+ | TO-252 |
T410-600B-TR | 8102 | St | 08+ | TO-252 |