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2SC3356- courant de collecteur du transistor 100 mA de transistor MOSFET de puissance du silicium rf de T1B NPN
CARACTÉRISTIQUES
• À faible bruit et à gain élevé : N-F = TYPE du DB 1,1., Ga = TYPE du DB 11. @CEde V = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 gigahertz
• Gain de puissance élevée : Magnétique = TYPE du DB 13. @CEde V = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 gigahertz
CAPACITÉS ABSOLUES (TA = +25°C)
| Paramètre | Symbole | Estimations | Unité |
| Collecteur à la tension basse | VCBO | 20 | V |
| Collecteur à la tension d'émetteur | VPRÉSIDENT | 12 | V |
| Émetteur à la tension basse | VEBO | 3,0 | V |
| Courant de collecteur | IC | 100 | mA |
| Dissipation de puissance totale | Notededoigt de P | 200 | mW |
| La température de jonction | Tj | 150 | °C |
| Température de stockage | Stgde T | −65 à +150 | °C |
Notez l'air libre
EMPAQUETEZ LES DIMENSIONS
3-PIN MINIMOLD (UNITÉ : millimètre)

CONNEXIONS DE PIN
1. Émetteur
2. Base
3. Collecteur
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
| AMP02FP | 5140 | ANNONCE | 14+ | DIP-8 |
| MPX53DP | 5132 | FREESCALE | 13+ | PETITE GORGÉE |
| ATMEGA2561V-8MU | 5129 | ATMEL | 14+ | QFP64 |
| BTS721L1 | 5129 | INFINEON | 15+ | SOP-20 |
| L6205N | 5125 | St | 14+ | IMMERSION |
| BTS134D | 5124 | INFINEON | 15+ | TO-252 |
| LP2951CMX | 5123 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| ADM690AN | 5110 | ANNONCE | 14+ | DIP-8 |
| CA3080E | 5100 | HARRIS | 10+ | IMMERSION |
| A1220LUA-T | 5100 | ALLÉGRO | 15+ | SIP-3 |
| LT4256-2IS8 | 5096 | LINÉAIRE | 13+ | CONCESSION |
| 91228-3001 | 5087 | MOLEX | 15+ | connecteur |
| LTC3426ES6#TRPBF | 5086 | LINÉAIRE | 15+ | IVROGNE |
| MAX6106EUR-T | 5082 | MAXIME | 15+ | IVROGNE |
| ADM1485AN | 5080 | ANNONCE | 15+ | DIP-8 |
| BPW77NB | 5075 | VISHAY | 15+ | IMMERSION |
| 6ED003L06-F | 5061 | INFINEON | 12+ | SOP-28 |
| MC908JL3ECPE | 5060 | FREESCALE | 14+ | IMMERSION |
| ATMEGA324PV-10AU | 5056 | ATMEL | 15+ | QFP |
| AK5381VT-E2 | 5056 | AKM | 14+ | TSSOP-16 |
| AD5621BKSZ-500RL7 | 5055 | ANNONCE | 14+ | SC70-6 |