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TRANSISTOR BIPOLAIRE de PORTE ISOLÉ par transistor de transistor MOSFET de puissance de GP4068D

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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TRANSISTOR BIPOLAIRE de PORTE ISOLÉ par transistor de transistor MOSFET de puissance de GP4068D

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Numéro de type :GP4068D
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8700pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de Collecteur-à-émetteur :600 V
Courant de collecteur continu :96 A
Courant de collecteur d'impulsion :192 A
Dissipation de puissance maximum :330 W
La température de jonction fonctionnante :-55 à +175°C
La température de stockage :-55 à +175°C
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IRGP4068DPbF

IRGP4068D-EPbF

TRANSISTOR BIPOLAIRE À PORTE ISOLÉE AVEC DIODE VF ULTRA-BAS POUR CHAUFFAGE PAR INDUCTION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION SOUPLE

Caractéristiques

• Technologie IGBT de tranchée basse CE (ON)

• Faibles pertes de commutation

• Température de jonction maximale 175 ° C

• 5 μS court-circuit SOA

• Square RBSOA

• 100% des pièces testées pour courant nominal 4X (I LM )

• Positif V CE (ON) Coefficient de température

• Diode Hyperfast ultra-basse V F

• Répartition des paramètres serrés

• Paquet sans plomb

Avantages

• Dispositif optimisé pour les applications de chauffage par induction et de commutation en douceur

• Efficacité élevée grâce aux faibles V CE (on) , faibles pertes de commutation et ultra-faibles V F

• Performances transitoires robustes pour une fiabilité accrue

• Excellent partage de courant en fonctionnement parallèle

• Faible EMI

Notations maximales absolues

Paramètre Max Unités
V CES Tension du collecteur à l'émetteur 600 V
I C = C = 25 ° C Courant de collecteur continu 96 UNE
I C @ T C = 100 ° C Courant de collecteur continu 48 UNE
I CM Courant du collecteur d'impulsions 192 UNE
I LM Courant de charge inductif enclenché 192 UNE
I F @ T C = 160 ° C Diode Courant continu continu 8.0 UNE
I FSM Diode Courant de surtension de pointe non répétitif @ T J = 25 ° C 175 UNE
I FM Diode Peak Courant direct répétitif 16 UNE
V GE Tension continue de la porte à l'émetteur ± 20 V
Tension transitoire de la porte vers l'émetteur ± 30 V
P D @ T C = 25 ° C Dissipation de puissance maximale 330 W
P D @ T C = 100 ° C Dissipation de puissance maximale 170 W

T J

T STG

Température de fonctionnement et de jonction de fonctionnement -55 à +175 ° C
Température de soudage, pendant 10 sec. 300 (1,6 mm) du boîtier) ° C
Couple de montage, vis 6-3 ou M3 10 lbf · in (1,1 N · m)

Offre d'actions (Vente chaude)

Numéro de pièce Quantité Marque D / C Paquet
FR9886SOGTR 47000 FITIPOWER 15+ SOP-8
FS225R12KE3 167 INFINEON 15+ MODULE
FS8205A 65000 FORTUNE 13+ TSSOP-8
FSA2567MPX 9570 FAIRCHILD 11+ QFN16
FSDH321 17522 FAIRCHILD 16+ DIP-8
FSDM0365RNB 7292 FAIRCHILD 16 + DIP-8
FSDM0565REWDTU 1807 FAIRCHILD 15+ TO-220F-6L
FSFM300N 458 FAIRCHILD 10+ DIP-8
FSFR1700XSL 4634 FAIRCHILD 16+ ZIP-9
FSQ0565RWDTU 13538 FAIRCHILD 11+ TO-220
FT2232D 2890 FTDI 16+ LQFP-48
FT230XQ-R 4455 FTDI 15+ QFN16
FT230XS-R 4107 FTDI 16+ TSSOP-16
FT231XS-R 4426 FTDI 16+ SSOP-20
FT232BL 1469 FTDI 16+ LQFP-32
FT232RL 4137 FTD 16+ SSOP-28
FT232RQ 2226 FTDI 13+ QFN
FTOH104ZF 3680 NEC 13+ DIP-2
FTP11N08A 9728 IPS 14+ TO-220
FTR-B3GA003Z-B10 18011 FUJITSU 12+ SMD
FW342-TL-E 4035 SANYO 16+ SOP-8
FZ600R65KF1 143 INFINEON 15+ MODULE
FZT1053ATA 48000 ZETEX 14+ SOT-223
FZT658TA 20930 DIODES 15+ SOT-223
G3VM-61ER 6239 OMRON 16+ SOP-6
G4A-1A-PE-12VDC 11550 OMRON 15+ TREMPER
G5626P11U 4731 GMT 12+ SOP-8
G5LE-1-12VDC 9699 OMRON 12+ TREMPER
G5LE-14-12VDC 13715 OMRON 16+ TREMPER
G5NB-1A-E-12VDC 5649 OMRON 14+ TREMPER

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