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Régulateur de commutation de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SK2382, convertisseur de DC−DC

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Régulateur de commutation de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SK2382, convertisseur de DC−DC

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Numéro de type :2SK2382
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de Drain−source :200 V
Tension de Drain−gate (RGS = kΩ 20) :200 V
Tension de Gate−source :±20 V
Vidangez la dissipation de puissance :45 W
Énergie simple d'avalanche d'impulsion :166 MJ
Courant d'avalanche :15 A
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Type de MOS de la Manche du silicium N de transistor à effet de champ de TOSHIBA (π−MOSV)

2SK2382

Régulateur de commutation, convertisseur de DC−DC et applications d'entraînement de moteur

 

Bas drain−source SUR la résistance : RDS(DESSUS) = 0,13 Ω (type.)

Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 17 S (type.)

Bas courant de fuite : ISAD = μA 100 (maximum) (VDS = 200 V)

Mode d'amélioration : Th V = 1,5 à 3,5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 

Capacités absolues (merci = 25°C)

Caractéristiques Symbole Évaluation Unité
Tension de Drain−source VSAD 200 V
Tension de Drain−gate (RGS = kΩ 20) VDGR 200 V
Tension de Gate−source VGSS ±20 V
Vidangez le courant C.C (note 1) ID 15 A
Impulsion (note 1) IDP 45 A
Vidangez la dissipation de puissance (comité technique = 25°C) PD 45 W
Énergie simple d'avalanche d'impulsion (note 2) EAS 166 MJ
Courant d'avalanche IL'AR 15 A
Énergie répétitive d'avalanche (note 3) EAR 4,5 MJ
La température de la Manche Tch 150 °C
Température ambiante de température de stockage Tstg −55 à 150 °C

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (« manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et les méthodes ") et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

 

Régulateur de commutation de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SK2382, convertisseur de DC−DC

 

 

 

 

Stockez l'offre (la vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
SST27SF512-70-3C-PG 8616 SST 14+ DIP-28
UDN2597A 2507 ALLÉGRO 16+ DIP-20
TDA16888P 14748 INFINEON 13+ DIP-20
S3F9454BZZ-DK94 36868 SAMSUNG 14+ DIP-20
TDA4919A 1478 SIEMENS 16+ DIP-20
ST62T20CB6 2054 St 14+ DIP-20
SR215C104KAATR1 13046 AVX 07+ DIP-2
B72214S0321K101 15000 EPCOS 15+ DIP-2
S14K320 14648 EPCOS 15+ DIP-2
PT204-6B 72000 EVERLIGHT 16+ DIP-2
PT204-6C 63000 EVERLIGHT 16+ DIP-2
PT333-3B 66000 EVERLIGHT 16+ DIP-2
PT334-6C 144000 EVERLIGHT 16+ DIP-2
QED234 10454 FAIRCHILD 10+ DIP-2
QSD2030F 8520 FAIRCHILD 13+ DIP-2
S1133-01 698 HAMAMAT 15+ DIP-2
SFH203FA 8366 OSRAM 13+ DIP-2
SFH205 14944 OSRAM 14+ DIP-2
SFH309FA 13184 OSRAM 12+ DIP-2
SFH409-2 14922 OSRAM 10+ DIP-2
SFH4110 13316 OSRAM 06+ DIP-2
SFH487-2 22768 OSRAM 14+ DIP-2
RUEF250 120000 RAYCHEM 16+ DIP-2
TRF250-180 123000 RAYCHEM 16+ DIP-2
RPT-34PB3F 11336 ROHM 14+ DIP-2
SIR-34ST3F 11292 ROHM 16+ DIP-2
SLR-342MG3F 15998 ROHM 16+ DIP-2
SLR-342YY3F 9968 ROHM 16+ DIP-2
UCN5810A-1 27348 ALLÉGRO 16+ DIP-18
UCN5810AF 27432 ALLÉGRO 16+ DIP-18

 

 

 

 

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