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Transistor de puissance du silicium NPN d'ISC de transistor de Pin 2SC4546 3

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Transistor de puissance du silicium NPN d'ISC de transistor de Pin 2SC4546 3

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Numéro de type :2SC4546
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :9100pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :600 V
Tension de collecteur-émetteur :400 V
tension d'Émetteur-base :7 V
Collecteur actuel-continu :7 A
La température de jonction :℃ 150
La température de stockage :-55~150 ℃
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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
RURG8060 6054 FSC 13+ TO-247
S1133 4195 HAMAMATSU 13+ DIP-2
S14K320 92000 EPSON 15+ IMMERSION
S1D13506F00A200 2146 EPSON 11+ QFP
S1G-E3/61T 18000 VISHAY 16+ DO-214
S21152BB 1768 INTEL 10+ QFP
S25FL128P0XMFI001 12260 SPANSION 16+ SOP-16
S25FL216KOPMFI011 68000 SPANSION 14+ SOP-8
S25FL512SAGMFI013 3723 SPANSION 15+ SOP-16
S29AL016D70TFI010 5204 SPANSION 08+ TSSOP-48
S29JL064H90TFI00 5068 SPANSION 06+ TSSOP-48
S2B-PH-K-S 167000 JST 14+ SMD
S2J-E3/52T 75000 VISHAY 15+ DO-214AA
S2S4BYOF 13830 POINTU 16+ SOP-4
S34ML08G101BHI000 2100 SPANSION 16+ BGA63
S3A-E3/57T 8500 VISHAY 16+ DO-214AB
S3B-13-F 67000 DIODES 16+ DO-214AB
S3C6410X66-YB40 2983 SAMSUNG 14+ BGA
S3F9454BZZ-DK94 5833 SAMSUNG 09+ IMMERSION
S4X8ES 69000 LITTELFUS 10+ TO-92
S558-5500-25-F 5804 BELFUSE 15+ SOP-16
S5B-PH-K-S (LF) (SN) 94000 JST 16+ Na
S5M-E3/57T 77000 VISHAY 16+ DO-214AB
S6040R 8070 LITTELFUS 14+ TO-220
S6B-XH-SM4-TB (LF) (SN) 7573 JST 16+ SMD
S7B-PH-SM4-TB (LF) (SN) 23131 JST 13+ SMD
S8025L 8041 TECCOR 07+ TO-220
S8065K 5681 TECCOR 16+ TO-3P
SAB80C517A-N18-T3 2443 INFINEON 14+ PLCC84
SAFEA2G35MB0F00R15 6517 MURATA 16+ SMD

 

 

transistor de puissance du silicium NPN d'ISC 2SC4546

 

DESCRIPTION

·Tension claque de collecteur-émetteur : Président V(deBR) = 400V (minute)

·Vitesse de commutation élevée

 

APPLICATIONS

·Conçu pour le régulateur de commutation, l'inverseur d'éclairage et les applications d'usage universel.

 

CAPACITÉS ABSOLUES (Ta=25℃)

SYMBOLE PARAMÈTRE VALEUR UNITÉ
VCBO Tension de collecteur-base 600 V
VPRÉSIDENT Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 7 V
IC Collecteur Actuel-continu 7 A
ICM Actuel-crête de collecteur 14 A
IB Actuel-continu bas 2 A
PC @TC =25℃ de dissipationde puissance de collecteur 30 W
TJ La température de jonction 150
Stgde T Température de stockage -55~150

 

Transistor de puissance du silicium NPN d'ISC de transistor de Pin 2SC4546 3Transistor de puissance du silicium NPN d'ISC de transistor de Pin 2SC4546 3

 

 

 

 

 

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