K4H561638H-UCB3 IC électronique ébrèche des spécifications de la RDA SDRAM de la H-matrice 256Mb

K4H560438H K4H560838H K4H561638H

spécifications de la RDA SDRAM de la H-matrice 256Mb

66 TSOP-II avec sans Pb (RoHS conforme)

Fonctionnalités clé

• VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V pour DDR266, 333

• VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V pour DDR400

• architecture de Double-donnée-rate ; deux transferts des données par rhythme

• Stroboscope bidirectionnel de données [DQS] (x4, x8) et [L (U) DQS] (x16)

• Opération de quatre banques

• Entrées d'horloge différentielle (les CK et les CK)

• Le DLL aligne la transition de DQ et de DQS avec la transition des CK

• MME cycle avec des programmes d'e-mail de référence

  -. Lisez la latence : DDR266 (2, horloge 2,5), DDR333 (2,5 horloge), DDR400 (horloge 3)

  -. Longueur d'éclat (2, 4, 8)

  -. Type d'éclat (séquentiel et imbrication)

• Toutes les entrées excepté des données et les DM sont prélevés au bord allant positif de l'horloge système (CK)

• Transactions d'entrée-sortie de données sur les deux bords de stroboscope de données

• La sortie de données alignée par bord, centrent l'entrée de données alignée

• LDM, UDM pour écrivent le masquage seulement (x16)

• Les DM pour écrivent le masquage seulement (x4, x8)

• L'automobile et l'individu régénèrent

• 7.8us régénèrent l'intervalle (8K/64ms régénèrent)

• L'éclat de maximum régénèrent le cycle : 8

• paquet sans Pb de 66pin TSOP II

• RoHS conforme

Description générale

Le K4H560438H/K4H560838H/K4H561638H est 268 435 456 bits de double DRACHME synchrone de débit organisée en tant que mots 4x 16 777 216/4x 8 388 608/4x 4 194 304 par 4/8/16bits, fabriqué avec la technologie de la haute performance CMOS du ′ s de SAMSUNG. Les caractéristiques synchrones avec le stroboscope de données permettent la performance extrêmement haute jusqu'à 400Mb/s par goupille. Les transactions d'entrée-sortie sont possibles sur les deux bords de DQS. La gamme des fréquences d'opération, la longueur programmable d'éclat et les latences programmables permettent au dispositif d'être utile pour un grand choix d'applications de système mémoire de haute performance.

Capacité absolue

Note :

Les dommages permanents de dispositif peuvent se produire si des CAPACITÉS ABSOLUES sont dépassées.

L'opération fonctionnelle devrait être limitée pour recommander l'état d'opération.

L'exposition à la tension plus haut que recommandée pendant des périodes prolongées a pu affecter la fiabilité de dispositif.

Dimension physique de paquet

Offre courante (vente chaude)