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M. la partie # :BFS481H6327
Produit de fabrication :Infineon Technologies
Définition :Transistors SI à faible bruit
Le stock :35000
Catégorie de produits :Transistors - bipolaires (BJT) - rf
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :20 mA
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :70 @ 5mA, 8V
Fréquence - Transition :8GHz
Les gains :20 dB
Type de montage :Monture de surface
Figure du bruit (dB Typ @ f) :0Pour les appareils électroniques, la fréquence de sortie est de 0,9 dB ~ 1,2 dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
Température de fonctionnement :150°C (TJ)
Emballage / boîtier :Les États membres doivent veiller à ce que les informations fournies par les autorités compétentes s
Puissance maximale :175 mW
Statut du produit :Actif
Type de transistor :2 NPN (doubles)
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :12 V
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