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M. la partie # :RN2965 ((TE85L,F)
Produit de fabrication :Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (en anglais seulement)
Définition :Trans 2PNP PREBIAS 0,2W US6
Le stock :2998
Catégorie de produits :Transistors - bipolaires (BJT) - rangées, Pré-décentrées
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :100nA (ICBO)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :80 @ 10 mA, 5 V
Fréquence - Transition :200 MHz
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Puissance maximale :200mw
Statut du produit :Actif
Résistance - Base (R1) :2.2 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :47 kOhms
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :États-Unis
Type de transistor :2 PNP - Pré-biasé (double)
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V
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