Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Le transistor MOSFET de transistor du TI CSD75207W15 rangent double Pin DSBGA T/R de P ch 3.9A 9

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Le transistor MOSFET de transistor du TI CSD75207W15 rangent double Pin DSBGA T/R de P ch 3.9A 9

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Number modèle :CSD75207W15
Point d'origine :Philippines
Quantité d'ordre minimum :Quantité de paquet
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :1000+
Délai de livraison :2 semaines
Détails de empaquetage :bande et bobine
Catégorie de produit :Transistor MOSFET de puissance
MFR :Texas Instruments
Nombre plus probable :CSD75207W15
Paquet :BGA
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Le transistor MOSFET de transistor du TI CSD75207W15 rangent double P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
SVHC Oui
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Configuration Double
Technologie transformatrice NexFET
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche P
Nombre d'éléments par puce 2
Tension de source de porte maximum (v) -6
Tension maximum de seuil de porte (v) 1,1
Drain continu maximum (a) actuel 3,9
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 100
IDSS maximum (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 54@4.5V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 2,9
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 458
Dissipation de puissance maximum (mW) 700
Temps typique d'automne (NS) 16
Temps de montée typique (NS) 8,6
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 32,1
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 12,8
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Paquet de fournisseur DSBGA
Pin Count 9
Nom de forfait standard BGA
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 0,28 (maximum)
Longueur de paquet 1,5
Largeur de paquet 1,5
La carte PCB a changé 9
Forme d'avance Boule
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