Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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PE des véhicules à moteur élevé de Pin TDSON du transistor MOSFET N ch 80V 11A de puissance de BSC123N08NS3G 8

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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PE des véhicules à moteur élevé de Pin TDSON du transistor MOSFET N ch 80V 11A de puissance de BSC123N08NS3G 8

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Number modèle :BSC123N08NS3G
Point d'origine :LA CHINE
Nombre plus probable :BSC123N08NS3G
MFR :Infineon
Catégorie :MOSFET
Taille :1*5.15*5.9mm
Quantité d'ordre minimum :Quantité de paquet
Détails de empaquetage :bande et bobine
Délai de livraison :2 semaines
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :1000+
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PE des véhicules à moteur du transistor MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON de transport de BSC123N08NS3G Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme avec l'exemption
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
SVHC Oui
SVHC dépasse le seuil Oui
Des véhicules à moteur Inconnu
PPAP Inconnu
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Technologie transformatrice OptiMOS
Configuration Source triple de drain simple de quadruple
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 80
Tension de source de porte maximum (v) ±20
Drain continu maximum (a) actuel 11
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 12.3@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 19@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte 19
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 1430@40V
Dissipation de puissance maximum (mW) 2500
Temps typique d'automne (NS) 4
Temps de montée typique (NS) 18
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 19
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 12
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Pin Count 8
Nom de forfait standard FILS
Paquet de fournisseur PE DE TDSON
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 1
Longueur de paquet 5,15
Largeur de paquet 5,9
La carte PCB a changé 8
Forme d'avance Aucune avance
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