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Transistor MOSFET de la puissance IPB200N25N3 élevée, Pin D2PAK T/R du transistor MOSFET 250V 64A 3 de N ch

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China Transistor MOSFET de la puissance IPB200N25N3 élevée, Pin D2PAK T/R du transistor MOSFET 250V 64A 3 de N ch wholesale

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Number modèle :IPB200N25N3

Point d'origine :LA CHINE

Nombre plus probable :IPB200N25N3

MFR :Infineon

Catégorie :MOSFET

Taille :4.57*10.31*9.45mm

Quantité d'ordre minimum :Quantité de paquet

Détails de empaquetage :bande et bobine

Délai de livraison :2 semaines

Conditions de paiement :T/T

Capacité d'approvisionnement :1000+

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Transistor MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R de transport d'IPB200N25N3 Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHS	Conforme avec l'exemption
ECCN (US)	EAR99
Statut de partie	Actif
SVHC	Oui
SVHC dépasse le seuil	Oui
Des véhicules à moteur	Non
PPAP	Non
Catégorie de produit	Transistor MOSFET de puissance
Configuration	Simple
Technologie transformatrice	OptiMOS 3
Mode de la Manche	Amélioration
Type de la Manche	N
Nombre d'éléments par puce	1
Tension maximum de source de drain (v)	250
Tension de source de porte maximum (v)	±20
Drain continu maximum (a) actuel	64
Résistance maximum de source de drain (MOhm)	20@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte	64@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte	64
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée	5340@100V
Dissipation de puissance maximum (mW)	300000
Temps typique d'automne (NS)	12
Temps de montée typique (NS)	20
Temps de retard d'arrêt typique (NS)	45
Temps de retard d'ouverture typique (NS)	18
Température de fonctionnement minimum (°C)	-55
Température de fonctionnement maximum (°C)	175
Emballage	Bande et bobine
Pin Count	3
Nom de forfait standard	TO-263
Paquet de fournisseur	D2PAK
Support	Bâti extérieur
Taille de paquet	4,57 (maximum)
Longueur de paquet	10,31 (maximum)
Largeur de paquet	9,45 (maximum)
La carte PCB a changé	2
Étiquette	Étiquette

Mots clés du produit:

mosfet number

transistor mosfet p3nk90zfp

to220 mosfet

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