Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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PE T/R de Pin PQFN du transistor MOSFET P-CH SI 30V 21A 8 de puissance élevée d'IRFH9310TRPBF

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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PE T/R de Pin PQFN du transistor MOSFET P-CH SI 30V 21A 8 de puissance élevée d'IRFH9310TRPBF

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Number modèle :IRFH9310TRPBF
Point d'origine :LA CHINE
Nombre plus probable :IRFH9310TRPBF
MFR :Infineon
Catégorie :MOSFET
Taille :5*6*0.95mm
Quantité d'ordre minimum :Quantité de paquet
Détails de empaquetage :bande et bobine
Délai de livraison :2 semaines
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :1000+
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PE T/R du transistor MOSFET P-CH SI 30V 21A 8-Pin PQFN de transport d'IRFH9310TRPBF Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Matériel SI
Configuration Source triple de drain simple de quadruple
Technologie transformatrice HEXFET
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche P
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 30
Tension de source de porte maximum (v) ±20
Drain continu maximum (a) actuel 21
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 4.6@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 58@4.5V|110@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte 110
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 5250@15V
Dissipation de puissance maximum (mW) 3100
Temps typique d'automne (NS) 70
Temps de montée typique (NS) 47
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 65
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 25
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Pin Count 8
Nom de forfait standard QFN
Paquet de fournisseur PE DE PQFN
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 0,95 (maximum)
Longueur de paquet 5
Largeur de paquet 6
La carte PCB a changé 8
Forme d'avance Aucune avance
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