Transistor MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R de transport de BSS138LT1G ONsemi
SUR LE transistor MOSFET de semi-conducteur est un transistor de transistor MOSFET de canal de N qui fonctionne en mode d'amélioration. Sa dissipation de puissance maximum est 225 mW. La tension maximum de source de drain du produit est 50 V et la tension de source de porte est ±20 V. Ce transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement de -55°C à 150°C.
Caractéristiques et avantages :
• Basse tension de seuil (VGS (Th) : 0,85 V-1.5 V) le rendent idéal pour des applications de basse tension
• Le paquet extérieur miniature du bâti SOT-23 ménage de l'espace de conseil
• Préfixe de BVSS pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC-Q101 a qualifié et PPAP capable
• Ces dispositifs sont sans Pb, l'halogène Free/BFR libres et sont RoHS conforme
Application :
• Convertisseurs de DC-DC
• Gestion de puissance dans les produits portatifs et à piles tels que des ordinateurs
• Imprimantes
• Cartes de PCMCIA
• Téléphones cellulaires et sans fil.
Spécifications techniques de produit
| UE RoHS |
Conforme |
| ECCN (US) |
EAR99 |
| Statut de partie |
Actif |
| HTS |
8541.21.00.95 |
| Des véhicules à moteur |
Non |
| PPAP |
Non |
| Catégorie de produit |
Transistor MOSFET de puissance |
| Configuration |
Simple |
| Mode de la Manche |
Amélioration |
| Type de la Manche |
N |
| Nombre d'éléments par puce |
1 |
| Tension maximum de source de drain (v) |
50 |
| Tension de source de porte maximum (v) |
±20 |
| Tension maximum de seuil de porte (v) |
1,5 |
| La température de jonction fonctionnante (°C) |
-55 à 150 |
| Drain continu maximum (a) actuel |
0,2 |
| Courant maximum de fuite de source de porte (Na) |
100 |
| IDSS maximum (uA) |
0,5 |
| Résistance maximum de source de drain (MOhm) |
3500@5V |
| Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée |
40@25V |
| Capacité inverse typique @ Vds (PF) de transfert |
3,5 |
| Tension minimum de seuil de porte (v) |
0,85 |
| Capacité de sortie typique (PF) |
12 |
| Dissipation de puissance maximum (mW) |
225 |
| Temps de retard d'arrêt typique (NS) |
20 (maximum) |
| Temps de retard d'ouverture typique (NS) |
20 (maximum) |
| Température de fonctionnement minimum (°C) |
-55 |
| Température de fonctionnement maximum (°C) |
150 |
| Emballage |
Bande et bobine |
| Tension de source de porte positive maximum (v) |
20 |
| Maximum pulsés vidangent le courant @ TC=25°C (a) |
0,8 |
| Tension typique de plateau de porte (v) |
1,9 |
| Pin Count |
3 |
| Nom de forfait standard |
IVROGNE |
| Paquet de fournisseur |
SOT-23 |
| Support |
Bâti extérieur |
| Taille de paquet |
0,94 |
| Longueur de paquet |
2,9 |
| Largeur de paquet |
1,3 |
| La carte PCB a changé |
3 |
| Forme d'avance |
Mouette-aile |
Amplifiez les signaux électroniques et commutez entre eux à l'aide de SUR LE transistor MOSFET de puissance du BSS138LT1G du semi-conducteur. Sa dissipation de puissance maximum est 225 mW. Afin d'assurer la livraison sûre et permettre le support rapide de ce composant après la livraison, elle sera emballée dans l'emballage de bande et de bobine pendant l'expédition. Ce transistor de transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement du °C -55 à 150 °C. Ce dispositif utilise la technologie de tmos. Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N fonctionne en mode d'amélioration.
