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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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FET SOT23 TO-236AB D monté par surface de transistor à effet de champ de NX7002AK NEXPERIA

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China FET SOT23 TO-236AB D monté par surface de transistor à effet de champ de NX7002AK NEXPERIA wholesale
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FET SOT23 TO-236AB D monté par surface de transistor à effet de champ de NX7002AK NEXPERIA
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Number modèle :NX7002AK
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :Quantité de paquet
Détails de empaquetage :bande et bobine
Délai de livraison :2 semaines
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :1000+
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Le transistor d'effet de champ de mode d'amélioration de N-canal de NX7002AK NEXPERIA (FET) dans un petit SOT23 (TO-236AB) Surface-a monté D

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
SVHC Oui
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Petit signal
Configuration Simple
Technologie transformatrice TMOS
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 60
Tension de source de porte maximum (v) 20
Tension maximum de seuil de porte (v) 2,1
Drain continu maximum (a) actuel 0,19
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 2000
IDSS maximum (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 4500@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 0.33@4.5V
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 15@10V
Dissipation de puissance maximum (mW) 325
Temps typique d'automne (NS) 5
Temps de montée typique (NS) 7
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 11
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 6
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Paquet de fournisseur SOT-23
Pin Count 3
Nom de forfait standard IVROGNE
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 1 (maximum)
Longueur de paquet 3 (maximum)
Largeur de paquet 1,4 (maximum)
La carte PCB a changé 3
Forme d'avance Mouette-aile
Mots clés du produit:

mos field effect transistor

3 phase bldc

surface mount diode identification
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