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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallèle 1.8V 1G a mordu 128M x 8 67 Pin VFBGA

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China TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallèle 1.8V 1G a mordu 128M x 8 67 Pin VFBGA wholesale
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TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallèle 1.8V 1G a mordu 128M x 8 67 Pin VFBGA
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Number modèle :TC58NYG0S3HBAI6
Point d'origine :La Thaïlande
Quantité d'ordre minimum :Quantité de paquet
Détails de empaquetage :bande et bobine
Délai de livraison :2 semaines
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :1000+
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TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA de 1G-bit 128M x 8

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) 3A991.b.1.a
Statut de partie Actif
Des véhicules à moteur Inconnu
PPAP Inconnu
Type de cellules Non-et
Chip Density (peu) 1G
Architecture Sectored
Bloc de botte Non
Organisation de bloc Symétrique
Largeur de bus d'adresses (peu) 28
Taille de secteur 128Kbyte X 1024
Taille de la page 2Kbyte
Nombre de peu/Word (peu) 8
Nombre de mots 128M
Programmabilité Oui
Type de synchronisation Asynchrone
Temps maximum d'effacement (s) 0.01/Block
Temps de programmation maximum (Mme) 0,7
Technologie transformatrice CMOS
Type d'interface Parallèle
Tension d'alimentation minimum d'opération (v) 1,7
Tension d'alimentation typique d'opération (v) 1,8
Tension d'alimentation maximum d'opération (v) 1,95
Tension de programmation (v) 1,7 à 1,95
Actuel de fonctionnement (mA) 30
Courant de programme (mA) 30
Température de fonctionnement minimum (°C) -40
Température de fonctionnement maximum (°C) 85
Commande compatible Non
Appui de CCE Oui
Appui de mode page Non
Paquet de fournisseur VFBGA
Pin Count 67
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 0,7 (maximum)
Longueur de paquet 8
Largeur de paquet 6,5
La carte PCB a changé 67
Mots clés du produit:

kingston kvr667d2n5

pc133 ram

kingston dt101 g2
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