Accueil / produits / High Power MOSFET / Transistor MOSFET 2N7002T de puissance élevée Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal 60V, 115mA, 2Ω /

show pictures

Catégories de produits

Crystal Electronic Component

Diodes et transistors électroniques

Unité MCU de microcontrôleur

Stockage de données de mémoire instantanée

Connecteur de panneau de carte PCB

Circuit intégré de SMD

Module électronique de Digital

Transistor MOSFET de puissance élevée

Optoélectronique LED

Composants électroniques passifs

Circuit imprimé flexible de FPC

Service d'Assemblée de carte PCB

Panneau électronique d'affichage numérique

Relais de puissance de signal

Interrupteur à positions multiples de SMD

Outils de promoteur

Câble d'UL

Capteurs de composant électronique

Glissement Ring Assemblies

Contacter

Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MrLarry Fan

Coordonnées du contact

Contacter

Transistor MOSFET 2N7002T de puissance élevée Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal 60V, 115mA, 2Ω

Transistor MOSFET 2N7002T de puissance élevée
Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal 60V, 115mA, 2Ω

produits détaillés

Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal du transistor MOSFET 2N7002T de puissance élevée 60V, 115mA, 2Ω [Qui nous sommes ?] L'...

voir produits détaillés →

Mots clés du produit:

n channel power mosfet mosfet power transistor com enhancement mode mosfet

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4