Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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MOSFET haute puissance NVJD4152P MOSFET 20 V, 0,88 A, 260 mΩ, double canal P, petit signal protégé contre les décharges électrostatiques

MOSFET haute puissance NVJD4152P MOSFET 20 V, 0,88 A, 260 mΩ, double canal P, petit signal protégé contre les décharges électrostatiques
  • MOSFET haute puissance NVJD4152P MOSFET 20 V, 0,88 A, 260 mΩ, double canal P, petit signal protégé contre les décharges électrostatiques
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