Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Transistor MOSFET FDC6312P de puissance élevée Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench®, 1.8V spécifique, -20V, -2.3A, 115mΩ

Transistor MOSFET FDC6312P de puissance élevée
 Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V spécifique, -20V, -2.3A, 115mΩ
  • Transistor MOSFET FDC6312P de puissance élevée
 Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V spécifique, -20V, -2.3A, 115mΩ
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Transistor MOSFET élevé de ® de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDC6312P de puissance double, 1.8V spécifique, -20V, -2.3A, 115mΩ [Qui ...
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