Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Puissance 193A 3.2mΩ de N-canal du transistor MOSFET FDI030N06 de la puissance élevée 60V

Puissance 193A 3.2mΩ de N-canal du transistor MOSFET FDI030N06 de la puissance élevée 60V
  • Puissance 193A 3.2mΩ de N-canal du transistor MOSFET FDI030N06 de la puissance élevée 60V
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