Série de Chip Core I3-5157U SR26M I3 de processeur d'unité centrale de traitement (3MB cachette, jusqu'à 2.5GHz) - processeur de carnet
Le noyau i3-5157U est un processeur rapide de double-noyau basé sur l'architecture de Broadwell, qui a été lancée en janvier 2015. Avec un TDP de 28 W, l'unité centrale de traitement approprié aux ultrabooks et aux carnets moyens, tandis que de plus petits dispositifs emploieront plus de modèles efficaces de la puissance ULV tels que le noyau i3-5010U (15 W TDP). En plus de deux noyaux d'unité centrale de traitement avec le Hyper-filetage synchronisé à 2,5 gigahertz (aucun Turbo), la puce intègre également Iris Graphics 6100 GPU et un contrôleur à canal double de la mémoire LPDDR3-1866/DDR3L-1600. Le noyau i3 est fabriqué en processus de 14 nanomètre avec des transistors de FinFET.
Nombre i3-5157U de processeur
| Nombre de processeur | i3-5157U |
| Famille | Mobile du noyau i3 |
| Technologie (micron) | 0,014 |
| Vitesse du processeur (gigahertz) | 2,5 |
| Taille de la cachette L2 (KBs) | 512 |
| Taille de la cachette L3 (mb) | 3 |
| Le nombre de noyaux | 2 |
| EM64T | Soutenu |
| Technologie de HyperThreading | Soutenu |
| Technologie de virtualisation | Soutenu |
| Technologie augmentée de SpeedStep | Soutenu |
| Caractéristique mordue pardébronchement | Soutenu |
Informations générales :
Architecture Microarchiteture :
| Microarchitecture | Broadwell |
| Noyau de processeur | Broadwell-U |
| Creusez la progression | F0 (SR26M) |
| Processus de fabrication | 0,014 microns |
| Largeur de données | bit 64 |
| Le nombre de noyaux d'unité centrale de traitement | 2 |
| Le nombre de fils | 4 |
| Unité de virgule flottante | Intégré |
| Taille de niveau 1 cachette | 2 x 32 la manière du KB 8 a placé les cachettes associatives d'instruction
2 x 32 la manière du KB 8 a placé les cachettes associatives de données |
| Taille de niveau 2 cachettes | 2 x 256 la manière du KB 8 a placé les cachettes associatives |
| Taille de niveau 3 cachettes | 3 la manière du mb 12 a placé la cachette partagée associative |
| Mémoire physique | 16 GIGAOCTETS |
| Multitraitement | Non soutenu |
| Caractéristiques | Instructions du § MMX § SSE/couler des prolongements de SIMD § SSE2/couler les prolongements 2 de SIMD § SSE3/couler les prolongements 3 de SIMD § SSSE3/prolongements coulants supplémentaires 3 de SIMD § SSE4/SSE4.1 + SSE4.2/couler les prolongements 4 de SIMD § AES/instructions standard chiffrage avancé § AVX/prolongements avancés de vecteur § AVX2/prolongements avancés 2,0 de vecteur § BMI/BMI1 + BMI2/instructions modification de configuration binaire § F16C/instructions à point mobile de 16 bits de conversion Opérande FMA3/3 de § fondu Multiplier-pour ajouter des instructions § EM64T/technologie mémoire prolongée 64/Intel 64 Le § NX/XD/exécutent le peu de débronchement HT de §/technologie de Hyper-filetage Technologie de VT-x/virtualisation de § VT-d de §/virtualisation pour l'entrée-sortie dirigée |
| Caractéristiques de puissance faible | Technologie augmentée de SpeedStep |
Périphériques/composants intégrés :
| Graphiques intégrés | Type de GPU : Intel Iris 6100
Rangée de graphiques : GT3
Microarchitecture : GEN 8
Modules exécution : 48 [1]
Fréquence basse (mégahertz) : 300
Fréquence maximum (mégahertz) : 1000
Le nombre d'affichages soutenus : 3 |
| Contrôleur de mémoire | Le nombre de contrôleurs : 1
Canaux de mémoire : 2
Mémoire soutenue : DDR3L-1333, DDR3L-1600, LPDDR3-1333, LPDDR3-1600, LPDDR3-1866
Largeur de bande maximum de mémoire (GB/s) : 29,9 |
| D'autres périphériques | Les médias directs de § connectent 2,0 Interface de PCI Express 2,0 de § (12 ruelles) |
Paramètres électriques/thermiques :
| Température de fonctionnement maximum | 105°C |
| Thermal Design Power | 28 watts |
