il TC58BYG1S3HBAI6 est un 1.8V simple 2 Gbit (2 214 592 512 bits) NAND Electrically Erasable et mémoire microprogrammable (non-et E2PROM) organisée en tant que (2048 + 64) × 2048blocks de pages du × 64 d'octets. Le dispositif a un registre statique de 2112 octets qui permet le programme et les données indiquées à transférer entre le registre et les augmentations d'octets de rangée de cellules de mémoire en 2112. L'opération d'effacement est mise en application dans une unité simple de bloc (128 K bytes + 4 K bytes : 2112 pages du × 64 d'octets).

Le TC58BYG1S3HBAI6 est un bloc de mémoires de type périodique qui utilise les goupilles d'entrée-sortie pour l'adresse et l'entrée-sortie de données aussi bien que pour des entrées de commande. Les opérations d'effacement et de programme sont automatiquement exécutées rendant le dispositif le plus approprié aux applications telles que le stockage de fichier à semi-conducteur, l'enregistrement de voix, la mémoire de fichier image pour des appareils photo et d'autres systèmes qui exigent le stockage de données à haute densité de mémoire non-volatile.

Le TC58BYG1S3HBAI6 a la logique de CCE sur la puce et 8bit des erreurs de lecture pour chaque 528Bytes peut être corrigé intérieurement

Attributs techniques

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	Description	Valeur
	Architecture	Sectored
	Organisation de bloc	Symétrique
	Type de cellules	NON-ET DE SLC
	Densité	2 gigaoctets
	Appui de CCE	Oui
	Type d'interface	Publication périodique
	Tension d'alimentation maximum d'opération	1,95 V
	Tension d'alimentation minimum d'opération	1,7 V
	Support	Bâti extérieur
	Nombre de peu par Word	Bit 8
	Nombre de mots	256 MWords
	Température de fonctionnement	°C -40 à 85
	Taille de la page	2 KBS
	Pin Count	67
	Dimensions de produit	8 x 6,5 x 0,74 (maximum)
	Tension de programmation	1,7 à 1,95 V
	Examiner le niveau	Industriel
	Taille de secteur	128 x 2048 KBs
	Paquet de fournisseur	VFBGA
	Type de synchronisation	Synchrone
	Tension d'alimentation typique d'opération	1,8000 V

Caractéristique :

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