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Puce d'IC de mémoire de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI de PUCE d'IC - mémoire asynchrone IC 4Mb 10ns parallèle TSOP44
CARACTÉRISTIQUES :
GRANDE VITESSE : (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Temps d'accès haut débit : 8, 10, 20 NS
• Bas Active Power : 85 mW (typiques)
• Basse alimentation générale : remplaçant de 7 mW CMOS (typique)
PUISSANCE FAIBLE : (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Temps d'accès haut débit : 25, 35, 45 NS
• Bas Active Power : 35 mW (typiques)
• Basse alimentation générale : 0,6 remplaçants de mW CMOS (typique)
• Alimentation d'énergie simple
— VDD 1.65V à 2.2V (IS61WV25616Axx)
— VDD 2.4V à 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis
• Trois sorties d'état
• Contrôle de données pour les octets supérieurs et inférieurs
• Appui industriel et des véhicules à moteur de la température
• Disponible sans plomb
DESCRIPTION
L'ISSI IS61WV25616Axx/Bxx et IS64WV25616Bxx
sont ultra-rapides, 4 194 304 mémoires RAM statiques de bit organisées en tant que 262 144 mots par 16 bits. C'est la technologie performante du CMOS des usingISSI fabriqués. Ce pro cess fortement fiables ajoutés aux techniques de conception innovatrices de circuit,
rendements performants et vices de la consommation De de puissance faible.
Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS.
L'ajout de mémoire facile est fourni à l'aide de Chip Enable et la sortie permettent les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent (NOUS) commande l'écriture et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'accès inférieur de l'octet (livre).
Les IS61WV25616Axx/Bxx et les IS64WV25616Bxx sont empaquetés dans le type II et 48 la goupille mini BGA (6mm x 8mm) de la goupille TSOP de la norme 44 de JEDEC.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Maximum. | Unité |
VOH | Haute tension de sortie | VDD = mn, IOH = – 4,0 mA | 2,4 | — | V |
Vol. | BASSE tension de sortie | VDD = mn, IOL = 8,0 mA | — | 0,4 | V |
VIH | Haute tension d'entrée | 2 | VDD + 0,3 | V | |
VIL | BASSE tension d'entrée (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
ILI | Fuite d'entrée | £ VDD DU £ VIN DE LA TERRE | – 1 | 1 | µA |
L'OIT | Fuite de sortie | Le £ VDD, sorties du £ VOUT de la terre a désactivé | – 1 | 1 | µA |
Note :
1. VIL (mn) = – C.C 0.3V ; VIL (mn) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.
VIH (maximum) = C.C VDD + 0.3V ; VIH (maximum) = C.A. VDD + 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Maximum. | Unité |
VOH | Haute tension de sortie | VDD = mn, IOH = – 1,0 mA | 1,8 | — | V |
Vol. | BASSE tension de sortie | VDD = mn, IOL = 1,0 mA | — | 0,4 | V |
VIH | Haute tension d'entrée | 2,0 | VDD + 0,3 | V | |
VIL | BASSE tension d'entrée (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
ILI | Fuite d'entrée | £ VDD DU £ VIN DE LA TERRE | – 1 | 1 | µA |
L'OIT | Fuite de sortie | Le £ VDD, sorties du £ VOUT de la terre a désactivé | – 1 | 1 | µA |
Note :
1. VIL (mn) = – C.C 0.3V ; VIL (mn) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.
VIH (maximum) = C.C VDD + 0.3V ; VIH (maximum) = C.A. VDD + 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES de C.C (sur la plage de fonctionnement)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | VDD | Mn. | Maximum. | Unité |
VOH | Haute tension de sortie | IOH = -0,1 mA | 1.65-2.2V | 1,4 | — | V |
Vol. | BASSE tension de sortie | IOL = 0,1 mA | 1.65-2.2V | — | 0,2 | V |
VIH | Haute tension d'entrée | 1.65-2.2V | 1,4 | VDD + 0,2 | V | |
VIL (1) | BASSE tension d'entrée | 1.65-2.2V | – 0,2 | 0,4 | V | |
ILI | Fuite d'entrée | £ VDD DU £ VIN DE LA TERRE | – 1 | 1 | µA | |
L'OIT | Fuite de sortie | Le £ VDD, sorties du £ VOUT de la terre a désactivé | – 1 | 1 | µA |
Note :
1. VIL (mn) = – C.C 0.3V ; VIL (mn) = – C.A. 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.
VIH (maximum) = C.C VDD + 0.3V ; VIH (maximum) = C.A. VDD + 2.0V (durée d'impulsion < 10 NS). Non 100% examiné.
Paramètre | Unité | Unité | Unité |
(2.4V-3.6V) | (3.3V +10%) | (1.65V-2.2V) | |
InputPulseLevel | 0Vto3V | 0Vto3V | 0Vto1.8V |
Hausse d'entrée et temps d'automne | 1V/ NS | 1V/ NS | 1V/ NS |
AndReferenceLevel d'InputandOutputTiming (VRef) | 1.5V | 1.5V | 0.9V |
OutputLoad | Voir les schémas 1 et 2 | Voir les schémas 1 et 2 | Voir les schémas 1 et 2 |