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Mémoire de DRACHME de H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 (256MX16, CMOS, PBGA96)
Les pièces sont double de la puissance faible 4Gb débit (DDR3L) la DRACHME III synchrone, idéalement adaptée aux applications de mémoire centrale qui exige la grande densité de mémoire, la largeur de bande élevée et l'opération de puissance faible à 1.35V. SK Hynix DDR3L SDRAM ne fournit à la compatibilité ascendante l'environnement 1.5V basé par DDR3 sans aucun changement. SK Hynix 4Gb DDR3L
SDRAMs offrent des opérations entièrement synchrones référencées aux bords en hausse et en baisse de l'horloge. Tandis que
toutes les adresses et entrées de contrôle sont verrouillées sur les bords de montée de l'horloge (bords en baisse de l'horloge),
des données, stroboscopes de données et écrire des entrées de masques de données sont prélevées sur les bords de montée et en baisse de elles. Les données
des chemins sont intérieurement canalisés et à 8 bits prefetched pour réaliser la largeur de bande très élevée.
CARACTÉRISTIQUES
| Description de paquet de Mfr | FBGA-96 |
| ATTEIGNEZ conforme | Oui |
| UE RoHS conforme | Oui |
| La Chine RoHS conforme | Oui |
| Statut | Actif |
| Mode d'Access | ÉCLAT MULTI DE PAGE DE LA BANQUE |
| Code JESD-30 | R-PBGA-B96 |
| Densité de mémoire | peu 4.294967296E9 |
| Type d'IC de mémoire | MODULE DE DRACHME |
| Largeur de mémoire | 16 |
| Nombre de fonctions | 1 |
| Nombre de ports | 1 |
| Nombre de terminaux | 96 |
| Nombre de mots | mots 2.68435456E8 |
| Nombre de code de mots | 256M |
| Mode opérationnel | SYNCHRONE |
| Température-minute fonctionnante | 0,0 cel |
| Opération Température-maximum | 85,0 cel |
| Organisation | 256MX16 |
| Matériel de corps de paquet | PLASTIC/EPOXY |
| Code de paquet | TFBGA |
| Forme de paquet | RECTANGULAIRE |
| Style de paquet | RANGÉE DE GRILLE, PROFIL MINCE, LANCEMENT FIN |
| La température maximale de ré-écoulement (cel) | 260 |
| Taille-maximum posé | 1,2 millimètres |
| Tension-Nom d'approvisionnement (Vsup) | 1,35 V |
| Tension-minute d'approvisionnement (Vsup) | 1,283 V |
| Approvisionnement Tension-maximum (Vsup) | 1,45 V |
| Bâti extérieur | OUI |
| Technologie | CMOS |
| Catégorie de la température | AUTRE |
| Forme terminale | BOULE |
| Lancement terminal | 0,8 millimètres |
| Position terminale | LE FOND |
| Ré-écoulement de Time@Peak (s) Température-maximum | 20 |
| Longueur | 13,0 millimètres |
| Largeur | 7,5 millimètres |
| Caractéristique supplémentaire | AUTO/SELF RÉGÉNÈRENT |
