ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

MATÉRIAUX EN CRISTAL CIE., LTD D'ANHUI CRYSTRO. INNOVATEUR POUR LES CRISTAUX MAGNÉTO-OPTIQUES

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Côté expérimental à haute pression de double de phase de substrat optique rond de la gaufrette LaAlO3 poli

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Côté expérimental à haute pression de double de phase de substrat optique rond de la gaufrette LaAlO3 poli

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Numéro de type :CR20200108-8
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1PC
Conditions de paiement :T/T, Western union, Moneygram, Paypal
Capacité d'approvisionnement :1000pcs/month
Délai de livraison :3-4 semaines
Détails d'emballage :emballage en carton
orientation :<100>
Type :Rond, place
Diamètre :2" pouce, 3" pouce, 4" pouce
Épaisseur :0.5mm, 1mm
Polonais :double côté poli
Finition extérieure :< 10A="">
Matériel :Laalo3
Forme :Gaufrette
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Phase expérimentale à haute pression de <100> LaAlO3 de substrat optique rond de gaufrette

 

LaAlO3 est un substrat supraconducteur à hautes températures de monocristal. C'est un bon matériel de substrat pour la croissance épitaxiale des couches minces supraconductrices à hautes températures et des couches minces magnétiques géantes. Ses propriétés diélectriques conviennent à la basse micro-onde de perte et aux applications diélectriques de résonance.

Le monocristalde LaAlO3 fournit à un bon match de trellis à beaucoup de matériaux la structure de perovskite. C'est un excellent substrat pour la croissance épitaxiale des hautes couches minces de supraconducteurs de comité technique, magnétiques et ferroélectriques. Les propriétés diélectriques du cristal LaAlO3 sont bien appropriées à la basse micro-onde de perte et aux applications diélectriques de résonance.

 

Applications :

 

Appareils électroniques, catalyse, pile à combustible à hautes températures, céramique, traitement des eaux usées, matériaux de substrat

 

Principaux avantages :

 

Petite constante diélectrique ; basse perte diélectrique ; bon assortiment de trellis ; petit coefficient de dilatation thermique ; bonne stabilité chimique ; domaine d'énergie large ; grande superficie spécifique ; certaine activité ; bonne stabilité thermique

 

Propriétés principales :

 

  Propriétés physiques typiques
Crystal Structure Angströms a=3.79 cubiques
Méthode de croissance Czochralski
Densité 6,52 g/cm3
Point de fonte OC 2080
Dilatation thermique 10 (x10-6/OC)
Constante diélectrique | 25
Tangente de perte à 10 gigahertz ~3x10-4 @ 300K, ~0,6 x10-4 @77K
Couleur et aspect Transparent à Brown a basé sur la condition de recuit. Jumeaux évidents sur le substrat poli
Stabilité chimique Insoluble en acides minéraux à 25 OC et soluble dans H3PO3 l'at> 150 OC
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