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Gaufrette de substrats de YIG SGGG
Le grenat monocristal de SGGG et substitué de gallium de gadolinium est développé par la méthode de Czochralski.
Le substrat de SGGG est excellent pour pour élever les films épitaxiaux bismuth-substitués de grenat de fer, est bon matériel pour YIG, BiYIG, GdBIG.
Anhui Crystro Crystal Materials Co. , Le Ltd est spécialisé dans la recherche et développement de la science et technologie en cristal, notre
portée d'affaires principalement concentrée dans la recherche et développement en cristal de pointe de matériaux, la fabrication et les solutions pluridisciplinaires. Les entreprises du secteur tertiaire incluent : communications, espace, automobile, médical, beauté et d'autres industries.
Propriétés :
Propriétés en cristal | ||
Méthode de cristallogénèse | Czochralski | |
Orientation de cristallogénèse | (100), (111) | |
Taille maximum | 3 po. de diamètre | |
Variations | Dopands sur demande | |
Propriétés cristallographiques | ||
Structure cristallographique | Cubique | |
des = 12,383 Å | ||
des = 12,505 Å SGGG | ||
Minéralogique | Grenat | |
Structure de jumelage | Parfait | |
Couleur | SGGG sans couleur/brunâtre | |
Propriétés physiques | ||
Densité | 7,09 g/cm3 | |
Point de fusion | °C 1730 | |
Dureté | 7,5 (Mohs) | |
Constante diélectrique | 30 | |
Tangente de perte diélectrique (10 gigahertz) | CA 3,0 * 10_4 | |
Propriétés optiques | ||
Chaîne de transmission | 0,3 à 7,0 millimètres | |
Index de réfraction : | ND = 1,9708 à 577 nanomètre |
Approvisionnement GGG de CRYSTRO en cristal avec :
Orientation | <111> <100> dans la minute de l'arc ±15 |
Vague Front Distortion | <1/4 wave@632 |
Tolérance de diamètre | ±0.05mm |
Tolérance de longueur | ±0.2mm |
Chanfrein | º de 0.10mm@45 |
Planéité | vague <1/10 à 633nm |
Parallélisme | < 30 secondes d'arc |
Perpendicularity | de < minute 15 arcs |
Qualité extérieure | 10/5 éraflure/fouille |
Apereture clair | >90% |
Grandes dimensions des cristaux | 2.8-76 millimètres de diamètre |
Application :
Substitut GGG
YIG, GRAND film d'épitaxie ;
Dispositifs à micro-ondes ;