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Substrat de SGGG, gallium Garnet Substrates de gadolinium de Subsituted pour YIG GRAND
Le grenat monocristal de SGGG et substitué de gallium de gadolinium est développé par la méthode de Czochralski. Le substrat de SGGG est excellent pour pour élever les films épitaxiaux bismuth-substitués de grenat de fer, est bon matériel pour YIG, BiYIG, GdBIG.
Composition | (Gd2.6Ca0.4) (Ga4.1Mg0.25Zr0.65) O12 |
Crystal Structure | Cubique : un =12.480 Å, |
Constanteight wDielectric moléculaire | 968 096 |
Point de fonte | ~1730 OC |
Densité | | 7,09 g/cm3 |
Dureté | | 7,5 (mohns) |
Indice de réfraction | 1,95 |
Constante diélectrique | 30 |
Tangente de perte diélectrique (10 gigahertz) | CA 3,0 * 10_4 |
Méthode de cristallogénèse | Czochralski |
Direction de cristallogénèse | <111> |
Approvisionnement GGG de CRYSTRO en cristal avec :
Orientation | <111> <100> dans la minute de l'arc ±15 |
Vague Front Distortion | <1/4 wave@632 |
Tolérance de diamètre | ±0.05mm |
Tolérance de longueur | ±0.2mm |
Chanfrein | º de 0.10mm@45 |
Planéité | vague <1/10 à 633nm |
Parallélisme | < 30 secondes d'arc |
Perpendicularity | de < minute 15 arcs |
Qualité extérieure | 10/5 éraflure/fouille |
Apereture clair | >90% |
Grandes dimensions des cristaux | 2.8-76 millimètres de diamètre |