Puce de mémoire DRAM 512 Mo 16 bits 1,575 V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

La puce de mémoire à accès aléatoire dynamique DRAM de 512 MB de 16 bits FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC est un 4,294,967DRAM synchrone à double débit de données CMOS (DDR3) de 296 bits, très adaptée aux applications de mémoire principale nécessitant une mémoire à haute densité et une large bande passante.

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM offre un fonctionnement entièrement synchrone, se référant aux bords ascendants et descendants de l'horloge.Les entrées des strobes de données et des masques de données d'écriture sont échantillonnées aux bords ascendants et descendants.

• Pour les appareils de commande électrique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être supérieure ou égale à:
• Entrée d'horloge entièrement différentielle (CK, CK)
• Numéro de communication de sélection des données différentielles (DQS, DQS)
• Aligner les DLLS sur puce avec la transition DQ, DQS et DQS
• Masque DM écrit les données sur les bords ascendants/décroissants du signal de sélection des données
• Prend en charge des délais CAS programmables de 5,6,7,8,9,10,11, 13 et 14
• Longueur de rafale programmable de 4/8 avec motifs séquentiels et entrelacés
• 8 unités de stockage
• Options de température commerciales (0°C à 95°C), industrielles (-40°C à 95°C) et automobiles (-40°C à 105°C)
• Le JEDEC standard FBGA à 78 balles ((x8), FBGA à 96 balles ((x16)
• Architecture de précommande à 8 bits

Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des boîtiers en bois et des palettes en bois selon leurs besoins.